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IRFF113 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 3.0A courant. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRFF112, IRFF110, IRFF111, |
Téléchargement IRFF113 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
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À canal N à enrichissement porte silicium TMOS petit signal transistor à effet de champ. | Téléchargement IRFF113 datasheet de Motorola |
pdf 41 kb |
IRFF112 | Vue IRFF113 à notre catalogue | IRFF120 |