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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRFF113 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 3.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRFF112, IRFF110, IRFF111, |
Download IRFF113 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungsmode-Silizium-Gate TMOS Kleinsignal-Feldeffekttransistor. | Download IRFF113 datasheet von Motorola |
pdf 41 kb |
| IRFF112 | Ansicht IRFF113 zu unserem Katalog | IRFF120 |