|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
RCA9116D construit près: |
Silicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -120V, 200W. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: RCA9116E, 2N6609, MJ15004, RCA9116C, |
Téléchargement RCA9116D datasheet de General Electric Solid State |
pdf 245 kb |
RCA9116C | Vue RCA9116D à notre catalogue | RCA9116E |