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RCA9116E construit près: |
Silicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -100V, 200W. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6609, MJ15004, RCA9116C, RCA9116D, |
Téléchargement RCA9116E datasheet de General Electric Solid State |
pdf 245 kb |
RCA9116D | Vue RCA9116E à notre catalogue | RCA9166A |