BF1005 Datasheet pdf - Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz)

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BF1005 Vorbei Hergestellt:

	Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz) Andere mit der gleichen Akte für datasheet: Q62702-F1498,	Download BF1005 datasheet von Siemens	pdf 56 kb
	RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB voll, beeinflussend Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BF998, BF998R,	Download BF1005 datasheet von Infineon	pdf 253 kb

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