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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| BF998 Vorbei Hergestellt: | 
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 | RF-MOSFET - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BF1005, BF998R, |
Download BF998 datasheet von Infineon |
pdf 253 kb |
 | Silikon N-Führung dual-gate MOS-FETs | Download BF998 datasheet von Philips |
pdf 82 kb |
 | N-Führung Doppelgatter MOS‐Fieldeffect Tetrode, Abgangsart Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BF998RW, |
Download BF998 datasheet von Vishay |
pdf 169 kb |
 | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (Kurz-Führung Transistor mit hohem S/C Qualitätsfaktor für lärmarmen, gewinnen-kontrollierten Eingang inszeniert bis 1 Gigahertz) Andere mit der gleichen Akte für datasheet: Q62702-F1129, |
Download BF998 datasheet von Siemens |
pdf 187 kb |
 | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | Download BF998 datasheet von NXP Semiconductors |
pdf 126 kb |
| BF997 | Ansicht BF998 zu unserem Katalog | BF998A |