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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1176361STP5N30ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176362STP5N30N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176363STP5N30ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176364STP5N30FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176365STP5N30FIN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176366STP5N30FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176367STP5N30LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176368STP5N30LN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176369STP5N30LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176370STP5N30LFIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176371STP5N30LFIN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176372STP5N30LFIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176373STP5N52K3N-Kanal 525 V, 1,2 Ohm typ. 4,4 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1176374STP5N60M2N-Kanal 600 V, 1,26 Ohm typ. 3,7 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1176375STP5N62K3N-Kanal 620 V, 1,28 Ohm typ. 4,2 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1176376STP5N90N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
1176377STP5N90N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
1176378STP5N90FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
1176379STP5N90FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics



1176380STP5N95K5N-Kanal 950 V, 2 Ohm typ. 3,5 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1176381STP5NA50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176382STP5NA50N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176383STP5NA50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176384STP5NA50FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176385STP5NA50FIN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176386STP5NA50FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176387STP5NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176388STP5NA60N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176389STP5NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176390STP5NA60FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176391STP5NA60FIN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176392STP5NA60FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176393STP5NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176394STP5NA80N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176395STP5NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176396STP5NA80FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176397STP5NA80FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176398STP5NA80FPALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176399STP5NA80FPN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176400STP5NA80FPALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
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