| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1176481 | STP60NF03L | N - FÜHRUNG 30V - 0.008 Ohm - 60A TO-220 STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176482 | STP60NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 60A TO-220 STRIPFET ENERGIEMOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176483 | STP60NF06 | N-CHANNEL 60V 0.014 ENERGIE MOSFET DES OHM-60A TO-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1176484 | STP60NF06 | N-CHANNEL 60V 0.014 ENERGIE MOSFET DES OHM-60A TO-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176485 | STP60NF06FP | N-CHANNEL 60V 0.014 ENERGIE MOSFET DES OHM-60A TO-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1176486 | STP60NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.014 OHM - 60A D2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176487 | STP60NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.014 OHM - 60A D2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176488 | STP60NF06LFP | N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A D2PAK/TO-220/TO-220FP STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176489 | STP60NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.019 Ohm - 80A TO-220 STripFET™ II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176490 | STP60NS04Z | N-CHANNEL KLEMMTE 10 MOHM - 60A TO-220 VÖLLIG GESCHÜTZTEN INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET FEST | ST Microelectronics |
| 1176491 | STP60NS04Z | N - FÜHRUNG KLEMMTE 10mOhm - 60A - VÖLLIG GESCHÜTZTER TESTBLATTMOSFET Des INEINANDERGREIFEN-TO-220 Fest | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176492 | STP60NS04ZB | N-CHANNEL KLEMMTE 10MOHM 60A TO-220 VÖLLIG GESCHÜTZTEN DAS INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET FEST | ST Microelectronics |
| 1176493 | STP62NS04Z | N-CHANNEL KLEMMTE 0.0125 OHM - 62A TO-220 VÖLLIG GESCHÜTZTEN INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET FEST | ST Microelectronics |
| 1176494 | STP65NF06 | N-Kanal-60 V, 0,0115 Ohm, 60 A, TO-220 STripFET (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176495 | STP6LNC60 | N-CHANNEL 600V 1 OHM5.8A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176496 | STP6LNC60 | N-CHANNEL 600V 1 OHM5.8A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176497 | STP6LNC60FP | N-CHANNEL 600V 1 OHM5.8A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176498 | STP6LNC60FP | N-CHANNEL 600V 1 OHM5.8A TO-220/TO-220FP POWERMESH II MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176499 | STP6N120K3 | N-Kanal 1200 V, 1,95 Ohm, 6 A Zener-geschützt SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176500 | STP6N25 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176501 | STP6N25 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176502 | STP6N25 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176503 | STP6N25FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176504 | STP6N25FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176505 | STP6N25FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176506 | STP6N50 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1176507 | STP6N50 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1176508 | STP6N50 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1176509 | STP6N50FI | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1176510 | STP6N50FI | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1176511 | STP6N50FI | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1176512 | STP6N60FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176513 | STP6N60FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176514 | STP6N60FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176515 | STP6N60M2 | N-Kanal 600 V, 1,06 Ohm typ. 4,5 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176516 | STP6N62K3 | N-Kanal 620 V, 0,95 Ohm typ. 5,5 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176517 | STP6N65M2 | N-Kanal 650 V, 1,2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176518 | STP6N80K5 | N-Kanal 800 V, 1,3 Ohm typ. 4,5 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176519 | STP6N95K5 | N-Kanal 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176520 | STP6NA60 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
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