|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 6237 | 6238 | 6239 | 6240 | 6241 | 6242 | 6243 | 6244 | 6245 | 6246 | 6247 | >>
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
249641BC214PNP Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
249642BC214Mittel-Energie Des Prozess-63 PNPFairchild Semiconductor
249643BC214Verstärker-Transistor PNPON Semiconductor
249644BC214B0.350W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
249645BC214C0.350W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 100-600 hFEContinental Device India Limited
249646BC214LSILIKONAF KLEINE SIGNAL-VERSTÄRKER UND TREIBERMicro Electronics
249647BC214LPNP Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
249648BC214LBPNP Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
249649BC214LB_L34ZPNP Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
249650BC214LCPNP Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
249651BC214L_D26ZPNP Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
249652BC214L_L34ZPNP Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
249653BC214RL1Verstärker-Transistor PNPON Semiconductor
249654BC237Schaltung und Verstärker-AnwendungenFairchild Semiconductor
249655BC237Universeller TransistorKorea Electronics (KEC)
249656BC237Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, ma.ej cz?otliwo.ciUltra CEMI
249657BC237Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej mocyUltra CEMI
249658BC237NPN SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTORMicro Electronics
249659BC237NPN ZwecktransistorenPhilips



249660BC237Verstärker-TransistorenMotorola
249661BC237Transistor-Silikon NPNON Semiconductor
249662BC2370.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249663BC237Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = 50V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 45V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 6V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = 100mA.USHA India LTD
249664BC237-DSilikon Der Verstärker-Transistor-NPNON Semiconductor
249665BC237AVerstärker-TransistorenMotorola
249666BC237ANPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249667BC237A0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
249668BC237AVerstärker-Transistor NPNON Semiconductor
249669BC237ABUNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249670BC237ATANPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249671BC237AZL1Verstärker-Transistor NPNON Semiconductor
249672BC237BNPN ZwecktransistorenPhilips
249673BC237BVerstärker-TransistorenMotorola
249674BC237BNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249675BC237BTransistor-Silikon NPNON Semiconductor
249676BC237B0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200-460 hFEContinental Device India Limited
249677BC237BBUNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249678BC237BRL1Transistor-Silikon NPNON Semiconductor
249679BC237BTANPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249680BC237BTARNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 6237 | 6238 | 6239 | 6240 | 6241 | 6242 | 6243 | 6244 | 6245 | 6246 | 6247 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com