| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 256521 | BD38933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 256522 | BD38933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 256523 | BD39931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 256524 | BD39931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 256525 | BD39933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 256526 | BD39933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 256527 | BD40931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 256528 | BD40931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 256529 | BD410 | NPN Epitaxial- Silikon-Energie Transistor | Continental Device India Limited |
| 256530 | BD411 | Mittlere Energie linear und Schaltung Anwendungen | Fairchild Semiconductor |
| 256531 | BD41931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 256532 | BD41931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 256533 | BD4201FV | Batterie-Unterstützungs-IS | ROHM |
| 256534 | BD424 | NPN SILIKON-PLANARER TRANSISTOR | Siemens |
| 256535 | BD429 | NPN SILIKON-PLANARER TRANSISTOR | Siemens |
| 256536 | BD430 | PNP SILIKON-PLANARER TRANSISTOR | Siemens |
| 256537 | BD433 | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 256538 | BD433 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 256539 | BD433 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 256540 | BD433 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 256541 | BD433 | TRANSISTOREN DES NPN SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 256542 | BD433 | TRANSISTOREN DES PNP SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 256543 | BD433 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 256544 | BD433 | 36.000W Schalt NPN Plastic Leaded Transistor. 22V Vceo, 4.000A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256545 | BD433 | Plastic mittlerer Leistung Silizium NPN-Transistor. 4 A, 22 V. | Motorola |
| 256546 | BD433S | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 256547 | BD434 | PNP Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 256548 | BD434 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 256549 | BD434 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 256550 | BD434 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 256551 | BD434 | TRANSISTOREN DES PNP SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 256552 | BD434 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 256553 | BD434 | 36.000W Schalt PNP Plastic Leaded Transistor. 22V Vceo, 4.000A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256554 | BD434 | Plastic mittlerer Leistung Silizium PNP-Transistor. 4 A, 22 V. | Motorola |
| 256555 | BD434S | PNP Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 256556 | BD434STU | PNP Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 256557 | BD435 | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 256558 | BD435 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 256559 | BD435 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 256560 | BD435 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
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