Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
53721 | 2SC2946(1) | Silikontransistor | NEC |
53722 | 2SC29461 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MP-3 | NEC |
53723 | 2SC2951 | Das ASI 2SC2951 ist ein Hochfrequenztransistor, der für universelle Oszillator-Anwendungen bis zu 10 Gigahertz bestimmt ist. | Advanced Semiconductor |
53724 | 2SC2951 | Das ASI 2SC2951 ist ein Hochfrequenztransistor, der für universelle Oszillator-Anwendungen bis zu 10 Gigahertz bestimmt ist. | Advanced Semiconductor |
53725 | 2SC2952 | Das 2SC2592 ist ein Hochfrequenztransistor, der für universelle VHF-UHF Verstärker-Anwendungen bestimmt ist. | Advanced Semiconductor |
53726 | 2SC2952 | Das 2SC2592 ist ein Hochfrequenztransistor, der für universelle VHF-UHF Verstärker-Anwendungen bestimmt ist. | Advanced Semiconductor |
53727 | 2SC2954 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
53728 | 2SC2954-T1 | Für Amplify Hochfrequenz, geringe Geräuschentwicklung, und breites Band. | NEC |
53729 | 2SC2954-T2 | Für Amplify Hochfrequenz, geringe Geräuschentwicklung, und breites Band. | NEC |
53730 | 2SC2958 | Silikontransistor | NEC |
53731 | 2SC2958-T | Silikontransistor | NEC |
53732 | 2SC2959 | Silikontransistor | NEC |
53733 | 2SC2959-T | Silikontransistor | NEC |
53734 | 2SC2960 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
53735 | 2SC2979 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
53736 | 2SC2979 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
53737 | 2SC2979 | ENERGIE TRANSISTORS(3A, 800v, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
53738 | 2SC2979 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
53739 | 2SC2982 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Storobo grelle Anwendungen mittlere Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
53740 | 2SC2983 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
53741 | 2SC2987 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
53742 | 2SC2987 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
53743 | 2SC2987 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
53744 | 2SC2987 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
53745 | 2SC2987A | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
53746 | 2SC2987A | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
53747 | 2SC2987A | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
53748 | 2SC2987A | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
53749 | 2SC2988 | Transistoren (Vorwähler-Führer durch Applications und Funktionen) | Panasonic |
53750 | 2SC2995 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) FM/AM Rf, MISCHUNG, OSZILLATOR, WENN Hochfrequenzverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
53751 | 2SC2996 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) FM/AM Rf, MISCHUNG, Einheimischer, WENN Hochfrequenzverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
53752 | 2SC2999 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor HF Verstärker-Anwendungen | SANYO |
53753 | 2SC3000 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor HF Verstärker-Anwendungen | SANYO |
53754 | 2SC3001 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
53755 | 2SC3006 | TRANSISTOR (UHF BAND-ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
53756 | 2SC3007 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
53757 | 2SC3007 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
53758 | 2SC3007 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-NPN (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
53759 | 2SC3011 | Epitaxial- Planare Art UHF~C Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
53760 | 2SC3012 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
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