| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 53801 | 2SC3053 | 150mW SMD NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 25V Vceo, 30mA Ic, 35-180 hFE. entsprechen 2SC710 | Isahaya Electronics Corporation |
| 53802 | 2SC3059 | Silikon-Schnellenergie Transistor | Fujitsu Microelectronics |
| 53803 | 2SC3059 | Silikon-Schnellenergie Transistor | Fujitsu Microelectronics |
| 53804 | 2SC3059 | Silikon-Schnellenergie Transistor | Fujitsu Microelectronics |
| 53805 | 2SC3060 | Silikon-Schnellenergie Transistor | Fujitsu Microelectronics |
| 53806 | 2SC3060 | Silikon-Schnellenergie Transistor | Fujitsu Microelectronics |
| 53807 | 2SC3060 | Silikon-Schnellenergie Transistor | Fujitsu Microelectronics |
| 53808 | 2SC3061 | Silikon-Schnellenergie Transistor | Fujitsu Microelectronics |
| 53809 | 2SC3061 | Silikon-Schnellenergie Transistor | Fujitsu Microelectronics |
| 53810 | 2SC3061 | Silikon-Schnellenergie Transistor | Fujitsu Microelectronics |
| 53811 | 2SC3063 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
| 53812 | 2SC3064 | NPN Epitaxial- Planares Silikon CompositeTransistor | SANYO |
| 53813 | 2SC3064 | NPN Epitaxial- Planares Silikon CompositeTransistor | SANYO |
| 53814 | 2SC3064 | NPN Epitaxial- Planares Silikon CompositeTransistor | SANYO |
| 53815 | 2SC3065 | NPN Epitaxial- Planares Silikon CompositeTransistor | SANYO |
| 53816 | 2SC3065 | NPN Epitaxial- Planares Silikon CompositeTransistor | SANYO |
| 53817 | 2SC3065 | NPN Epitaxial- Planares Silikon CompositeTransistor | SANYO |
| 53818 | 2SC3066 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 53819 | 2SC3066 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 53820 | 2SC3066 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 53821 | 2SC3067 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor DIFFERENTIALE Ampere ANWENDUNGEN | SANYO |
| 53822 | 2SC3067 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor DIFFERENTIALE Ampere ANWENDUNGEN | SANYO |
| 53823 | 2SC3067 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor DIFFERENTIALE Ampere ANWENDUNGEN | SANYO |
| 53824 | 2SC3068 | NPN Epitaxial- planarer Silikon-Transistor hohes hFE, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 53825 | 2SC3069 | NPN Epitaxial- planarer Silikon-Transistor hohes hFE, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 53826 | 2SC3070 | NPN Epitaxial- planarer Silikon-Transistor hohes hFE, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 53827 | 2SC3071 | NPN Epitaxial- planarer Silikon-Transistor hohes hFE, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 53828 | 2SC3072 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Röhrenblitz-Blitz-Anwendungen mittlere Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 53829 | 2SC3073 | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
| 53830 | 2SC3073 | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
| 53831 | 2SC3073 | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
| 53832 | 2SC3074 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) hohe gegenwärtige Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 53833 | 2SC3075 | Dreifache zerstreute Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) getastetes Netzteil und Hochspannung-Schaltung Anwendungen DC-DC Konverter-Anwendungen DC-AC Konverter-Anwendungen | TOSHIBA |
| 53834 | 2SC3076 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 53835 | 2SC3077 | Si NPN planar. UHF Verstärker, Mixer. | Panasonic |
| 53836 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
| 53837 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
| 53838 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
| 53839 | 2SC3080M | 2SC3080 | ROHM |
| 53840 | 2SC3080M | 2SC3080 | ROHM |
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