| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 251321 | BC817-25W | Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50V | Diodes |
| 251322 | BC817-40 | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
| 251323 | BC817-40 | Amplificador De los Fines generales de NPN | National Semiconductor |
| 251324 | BC817-40 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251325 | BC817-40 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL NPN | ST Microelectronics |
| 251326 | BC817-40 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251327 | BC817-40 | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251328 | BC817-40 | Transistores de fines generales - transistor del AF del silicio de NPN para los usos generales del AF | Infineon |
| 251329 | BC817-40 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 251330 | BC817-40 | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Siemens |
| 251331 | BC817-40 | Transistor Pequeño 310mW De la Señal de NPN | Micro Commercial Components |
| 251332 | BC817-40 | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 251333 | BC817-40 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251334 | BC817-40 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE NPN | TRSYS |
| 251335 | BC817-40 | 45 V, 500 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251336 | BC817-40 | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 250-600 hFE. BC807-40 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 251337 | BC817-40 | Pequeña señal del transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 251338 | BC817-40 | Ic = 800mA, Vce = 1.0V transistor | MCC |
| 251339 | BC817-40 | Superficie de montaje pequeño transistor NPN de señal | TRANSYS Electronics Limited |
| 251340 | BC817-40-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE NPN | Diodes |
| 251341 | BC817-40-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 251342 | BC817-40-G | Transistores para aplicaciones generales, V CBO = 50V, V CEO = 45V, V EBO = 5V, I C = 0.5A | Comchip Technology |
| 251343 | BC817-40L | Plástico Del Transistor Del Silicio | ON Semiconductor |
| 251344 | BC817-40LT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 251345 | BC817-40LT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 251346 | BC817-40LT1 | Plástico Del Transistor Del Silicio | ON Semiconductor |
| 251347 | BC817-40LT1G | Plástico Del Transistor Del Silicio | ON Semiconductor |
| 251348 | BC817-40LT3 | Plástico Del Transistor Del Silicio | ON Semiconductor |
| 251349 | BC817-40Q-13-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 251350 | BC817-40Q-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 251351 | BC817-40QA | 45 V, 500 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251352 | BC817-40W | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
| 251353 | BC817-40W | Transistor del AF del silicio de NPN (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto) | Siemens |
| 251354 | BC817-40W | Solos transistores del AF para los usos de fines generales | Infineon |
| 251355 | BC817-40W | 45 V, 500 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251356 | BC817-40W | Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50V | Diodes |
| 251357 | BC817-40W-7 | Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50V | Diodes |
| 251358 | BC81716 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251359 | BC81716LT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 251360 | BC81716MTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
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