| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 251361 | BC81725 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251362 | BC81725 | 25 - NPN de uso general Amplificador | Fairchild Semiconductor |
| 251363 | BC81725MTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251364 | BC81740 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251365 | BC81740 | 40 - NPN de uso general Amplificador | Fairchild Semiconductor |
| 251366 | BC81740MTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251367 | BC81740NMMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251368 | BC817DPN | Transistor de los fines generales de NPN/PNP | Philips |
| 251369 | BC817DPN | NPN / PNP de propósito general transistor | NXP Semiconductors |
| 251370 | BC817DS | Transistor doble de fines generales de NPN | Philips |
| 251371 | BC817DS | BC817DS; Transistor doble de fines generales de NPN | Philips |
| 251372 | BC817DS | Propósito general NPN Transistor doble | NXP Semiconductors |
| 251373 | BC817F | Transistor del silicio de NPN (alto uso actual de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 251374 | BC817U | Transistores de fines generales - el arsenal del transistor del AF del silicio de NPN para el AF entró etapas y conductores | Infineon |
| 251375 | BC817UPN | Transistores De fines generales - Arsenal Del Transistor del Af Del Silicio de NPN/PNP | Infineon |
| 251376 | BC817W | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
| 251377 | BC817W | Transistor del AF del silicio de NPN para el general... | Infineon |
| 251378 | BC817W | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251379 | BC817W | 45 V, 500 mA NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251380 | BC818 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251381 | BC818 | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | Vishay |
| 251382 | BC818 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251383 | BC818 | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | General Semiconductor |
| 251384 | BC818 | Transistor del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 251385 | BC818 | Transistor del silicio de NPN (alto uso actual de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 251386 | BC818 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251387 | BC818 | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 25V VCEO, 0.500A Ic, 40 hFE. BC808 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 251388 | BC818-16 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251389 | BC818-16 | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Siemens |
| 251390 | BC818-16 | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 251391 | BC818-16 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251392 | BC818-16 | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 251393 | BC818-16 | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 25V VCEO, 0.500A Ic, 100-250 hFE. BC808-16 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 251394 | BC818-16 | Pequeña señal del transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 251395 | BC818-16W | Transistores de fines generales - transistor del AF del silicio de NPN para los usos generales del AF | Infineon |
| 251396 | BC818-16W | Transistor del AF del silicio de NPN (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto) | Siemens |
| 251397 | BC818-16W | Transistor de los fines generales de NPN | Philips |
| 251398 | BC818-25 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251399 | BC818-25 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251400 | BC818-25 | Transistores de fines generales - transistor del AF del silicio de NPN para los usos generales del AF | Infineon |
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