| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 252801 | BC859C | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252802 | BC859C-Z4C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252803 | BC859C-Z4C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252804 | BC859CL | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252805 | BC859CLT1 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252806 | BC859CLT3 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252807 | BC859CMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252808 | BC859CW | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252809 | BC859CW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 252810 | BC859CW | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252811 | BC859CW | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252812 | BC859CW | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252813 | BC859T | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 252814 | BC859T | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 252815 | BC859W | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252816 | BC859W | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252817 | BC859W | AF del silicio de NPN transistores | Infineon |
| 252818 | BC860 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252819 | BC860 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 252820 | BC860 | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252821 | BC860 | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252822 | BC860 | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 125-800 hFE. BC850 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252823 | BC860 | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252824 | BC860 | AF del silicio de NPN transistores | Infineon |
| 252825 | BC860A | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252826 | BC860A | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 125-250 hFE. BC850A Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252827 | BC860A | Transistor PNP de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252828 | BC860A | PNP transistores de propósito general | Philips |
| 252829 | BC860A-Z4E | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252830 | BC860A-Z4E | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252831 | BC860AMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252832 | BC860AW | PNP transistores de propósito general | Philips |
| 252833 | BC860B | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252834 | BC860B | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252835 | BC860B | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
| 252836 | BC860B | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252837 | BC860B | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252838 | BC860B | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 220-475 hFE. BC850B Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252839 | BC860B | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252840 | BC860B | Transistor PNP de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
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