Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
252881 | BC869-16 | Transistor de energía medio de PNP | Philips |
252882 | BC869-16 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
252883 | BC869-16 | 20 V, 2 A Transistor PNP | NXP Semiconductors |
252884 | BC869-25 | Transistor de energía medio de PNP | Philips |
252885 | BC869-25 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
252886 | BC869-25 | 20 V, 2 A Transistor PNP | NXP Semiconductors |
252887 | BC86916 | Obsoleto | Zetex Semiconductors |
252888 | BC86925 | Obsoleto | Zetex Semiconductors |
252889 | BC875 | Transistores de NPN Darlington | Philips |
252890 | BC875 | Transistores de Darlington del silicio de NPN (alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual | Siemens |
252891 | BC876 | Transistores de Darlington del silicio de PNP (alta alta corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
252892 | BC877 | Transistores de Darlington del silicio de NPN (alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual | Siemens |
252893 | BC878 | Transistores de Darlington del silicio de PNP (alta alta corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
252894 | BC878 | Transistor de PNP Darlington | Philips |
252895 | BC879 | Transistores de NPN Darlington | Philips |
252896 | BC879 | Transistores de Darlington del silicio de NPN (alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual | Siemens |
252897 | BC880 | Transistores de Darlington del silicio de PNP (alta alta corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
252898 | BCA114ES6R | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
252899 | BCA114ES6R | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
252900 | BCA114EUS6R | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
252901 | BCA114EUS6R | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
252902 | BCA124ES6R | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
252903 | BCA124ES6R | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
252904 | BCA124EUS6R | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
252905 | BCA124EUS6R | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
252906 | BCAAAPC | UN SOSTENEDOR DE LA CÉLULA DEL AAA | etc |
252907 | BCAAAPC | UN SOSTENEDOR DE LA CÉLULA DEL AAA | etc |
252908 | BCAE07 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252909 | BCAE07R | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252910 | BCAE08 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252911 | BCAE08R | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252912 | BCAE09 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252913 | BCAE09R | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252914 | BCAE77 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252915 | BCAE77R | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252916 | BCAE78 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252917 | BCAE78R | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252918 | BCAE79 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252919 | BCAE79R | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
252920 | BCAP07 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor specjalny | Ultra CEMI |
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