| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 53961 | 2SC3202 | PROCESO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR TYPE(PCT DEL SILICIO NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53962 | 2SC3202 | PROCESO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR TYPE(PCT DEL SILICIO NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53963 | 2SC3203 | PROCESO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR TYPE(PCT DEL SILICIO NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53964 | 2SC3203 | PROCESO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR TYPE(PCT DEL SILICIO NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53965 | 2SC3203 | PROCESO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR TYPE(PCT DEL SILICIO NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53966 | 2SC3206 | PROCESO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR TYPE(PCT DEL SILICIO NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53967 | 2SC3206 | PROCESO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR TYPE(PCT DEL SILICIO NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53968 | 2SC3206 | PROCESO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR TYPE(PCT DEL SILICIO NPN) | Korea Electronics (KEC) |
| 53969 | 2SC3209 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53970 | 2SC3210 | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Unknow |
| 53971 | 2SC3210 | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Unknow |
| 53972 | 2SC3210 | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Unknow |
| 53973 | 2SC3210 | Transistor de energía - Tipo del silicio NPN Triple-Difundido Junction Mesa | Panasonic |
| 53974 | 2SC3211 | Transistor de energía - Tipo del silicio NPN Triple-Difundido Junction Mesa | Panasonic |
| 53975 | 2SC3211A | Transistor de energía - Tipo del silicio NPN Triple-Difundido Junction Mesa | Panasonic |
| 53976 | 2SC3212 | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Panasonic |
| 53977 | 2SC3212 | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Panasonic |
| 53978 | 2SC3212 | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Panasonic |
| 53979 | 2SC3212A | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Panasonic |
| 53980 | 2SC3212A | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Panasonic |
| 53981 | 2SC3212A | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Panasonic |
| 53982 | 2SC3218-M | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN PARA EL USO INDUSTRIAL WIDEBAND DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE 860 MEGACICLOS | NEC |
| 53983 | 2SC3219 | Transistores Ultra De alta velocidad De la Conmutación Del Alto voltaje | Shindengen |
| 53984 | 2SC3220 | Transistores Ultra De alta velocidad De la Conmutación Del Alto voltaje | Shindengen |
| 53985 | 2SC3221 | Transistores Ultra De alta velocidad De la Conmutación Del Alto voltaje | Shindengen |
| 53986 | 2SC3222 | Transistores Ultra De alta velocidad De la Conmutación Del Alto voltaje | Shindengen |
| 53987 | 2SC3223 | Transistores Ultra De alta velocidad De la Conmutación Del Alto voltaje | Shindengen |
| 53988 | 2SC3225 | USOS EPITAXIAL DE LA IMPULSIÓN DEL SOLENOIDE DE LOS USOS DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 53989 | 2SC3233 | El silicio NPN del transistor triplica el regulador de conmutación difundido del tipo y usos de alta velocidad del convertidor C.C.-C.C. de los usos de la conmutación del alto voltaje | TOSHIBA |
| 53990 | 2SC3240 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53991 | 2SC3241 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53992 | 2SC3242 | 900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 16V VCEO, 2A Ic, 150 a 800 hFE. 2SA1282 Complementaria | Isahaya Electronics Corporation |
| 53993 | 2SC3242A | 900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 20V VCEO, 2A Ic, 150 a 500 hFE. 2SA1282A Complementaria | Isahaya Electronics Corporation |
| 53994 | 2SC3243 | 900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 60V VCEO, 1A Ic, 55-300 hFE. 2SA1283 Complementaria | Isahaya Electronics Corporation |
| 53995 | 2SC3244 | 900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 100V VCEO, 500mA Ic, 55-300 hFE. 2SA1284 Complementaria | Isahaya Electronics Corporation |
| 53996 | 2SC3245 | 2SC3245 | Unknow |
| 53997 | 2SC3245 | 2SC3245 | Unknow |
| 53998 | 2SC3245 | 2SC3245 | Unknow |
| 53999 | 2SC3245 | 900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 120V VCEO, 100mA Ic, 150 a 800 hFE. 2SA1285 Complementaria | Isahaya Electronics Corporation |
| 54000 | 2SC3245A | 2SC3245 | Unknow |
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