Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
54121 | 2SC3351-L | Para amplificar el ruido de baja y alta frecuencia. | NEC |
54122 | 2SC3351-T1B | Para amplificar el ruido de baja y alta frecuencia. | NEC |
54123 | 2SC3351-T2B | Para amplificar el ruido de baja y alta frecuencia. | NEC |
54124 | 2SC3352 | Transistor de energía - Tipo del silicio NPN Triple-Difundido Junction Mesa | Panasonic |
54125 | 2SC3352A | Transistor de energía - Tipo del silicio NPN Triple-Difundido Junction Mesa | Panasonic |
54126 | 2SC3353 | Transistor de energía - Tipo del silicio NPN Triple-Difundido Junction Mesa | Panasonic |
54127 | 2SC3353A | Transistor de energía - Tipo del silicio NPN Triple-Difundido Junction Mesa | Panasonic |
54128 | 2SC3354 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - de alta frecuencia para los sintonizadores | Panasonic |
54129 | 2SC3355 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DEL SILICIO BAJO DE ALTA FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
54130 | 2SC3355-T | Para amplificar el ruido de baja y alta frecuencia | NEC |
54131 | 2SC3356 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO BAJO DEL RUIDO AMPLIFIER(NPN DE LA MICROONDA) | NEC |
54132 | 2SC3356-L | Para amplificar el ruido de baja y alta frecuencia | NEC |
54133 | 2SC3356-T1B | Para amplificar el ruido de baja y alta frecuencia | NEC |
54134 | 2SC3356-T2B | Para amplificar el ruido de baja y alta frecuencia | NEC |
54135 | 2SC3356-VM | Para amplificar el ruido de baja y alta frecuencia | NEC |
54136 | 2SC3357 | MOLDE DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN MINI | NEC |
54137 | 2SC3357-T1 | Para amplificar alta frecuencia y bajo nivel de ruido. | NEC |
54138 | 2SC3357-T2 | Para amplificar alta frecuencia y bajo nivel de ruido. | NEC |
54139 | 2SC3359S | > de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
54140 | 2SC3360 | MOLDE DE ALTO VOLTAJE DEL TRANSISTOR EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR Y DEL SILICIO DE LA CONMUTACIÓN NPN MINI | NEC |
54141 | 2SC3360-L | Transistor del silicio | NEC |
54142 | 2SC3360-T1B | Transistor del silicio | NEC |
54143 | 2SC3360-T2B | Transistor del silicio | NEC |
54144 | 2SC3361 | Usos De alta velocidad De la Conmutación De los Transistores Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | SANYO |
54145 | 2SC3365 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
54146 | 2SC3365 | Triple Del Silicio NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
54147 | 2SC3365 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
54148 | 2SC3369 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | National Semiconductor |
54149 | 2SC3369 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | National Semiconductor |
54150 | 2SC3369 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | National Semiconductor |
54151 | 2SC3369 | Transistor - Tipo de silicio NPN planar epitaxial | Panasonic |
54152 | 2SC3374 | AMPLIFICADOR DEL RF DEL SINTONIZADOR DEL VHF TV DEL AMPLIFICADOR DEL VHF | Hitachi Semiconductor |
54153 | 2SC3374 | AMPLIFICADOR DEL RF DEL SINTONIZADOR DEL VHF TV DEL AMPLIFICADOR DEL VHF | Hitachi Semiconductor |
54154 | 2SC3374 | AMPLIFICADOR DEL RF DEL SINTONIZADOR DEL VHF TV DEL AMPLIFICADOR DEL VHF | Hitachi Semiconductor |
54155 | 2SC3376 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR. REGULADOR DE CONMUTACIÓN Y USOS DE LA CONMUTACIÓN DEL ALTO VOLTAJE. USOS DE ALTA VELOCIDAD del CONVERTIDOR C.C.-C.C.. | TOSHIBA |
54156 | 2SC3377 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | ROHM |
54157 | 2SC3379 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
54158 | 2SC3380 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
54159 | 2SC3380 | Triple Del Silicio NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
54160 | 2SC3380 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
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