Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
58801 | 2SD858 | PLANAR DIFUNDIDA TRIPLE DEL SI NPN | Panasonic |
58802 | 2SD858A | PLANAR DIFUNDIDA TRIPLE DEL SI NPN | Panasonic |
58803 | 2SD859 | PLANAR DIFUNDIDA TRIPLE DEL SI NPN | Panasonic |
58804 | 2SD859A | PLANAR DIFUNDIDA TRIPLE DEL SI NPN | Panasonic |
58805 | 2SD862 | DESCRIPCIÓN Planar Epitaxial De Transistor(GENERAL Del Silicio) | Wing Shing Computer Components |
58806 | 2SD863 | Regulador De Voltaje Planar Epitaxial De los Transistores Del Silicio de NPN, Usos Del Equipo Eléctrico Del Conductor De la Lámpara Del Relais | SANYO |
58807 | 2SD866 | 2SD866 | Panasonic |
58808 | 2SD866A | Si NPN planar epitaxial. Conmutación de potencia. | Panasonic |
58809 | 2SD868 | ENERGÍA TRANSISTORS(2.Ä, 1500v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
58810 | 2SD869 | ENERGÍA HORIZONTAL TRANSISTOR(NPN) DE LA DESVIACIÓN | MOSPEC Semiconductor |
58811 | 2SD869 | Transistor De Energía Difundido Silicio | Wing Shing Computer Components |
58812 | 2SD870 | ENERGÍA TRANSISTORS(Ä, 1500v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
58813 | 2SD870 | DESCRIPCIÓN DIFUNDIDA SILICIO DE LA ENERGÍA TRANSISTOR(GENERAL) | Wing Shing Computer Components |
58814 | 2SD871 | ENERGÍA TRANSISTORS(Ã, 1500v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
58815 | 2SD874 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
58816 | 2SD874A | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
58817 | 2SD875 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
58818 | 2SD876 | Si NPN triples difunde plana. Alta hFE, amplificador de potencia de AF. | Panasonic |
58819 | 2SD878 | USOS DEL AMPLIFICADOR DE ALTA ENERGÍA | TOSHIBA |
58820 | 2SD878 | USOS DEL AMPLIFICADOR DE ALTA ENERGÍA | TOSHIBA |
58821 | 2SD879 | Transistor Planar Epitaxial 1.5V, Usos Del Silicio de NPN Del Estroboscópico 3V | SANYO |
58822 | 2SD880 | ENERGÍA TRANSISTORS(Á, 60v, 30w) | MOSPEC Semiconductor |
58823 | 2SD880 | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA EPITAXIAL DE LA FRECUENCIA DEL SILICIO TRANSISTOR(LOW DE NPN) | Wing Shing Computer Components |
58824 | 2SD880Y | NPN de silicio transistor de potencia plástica. Diseñado para el amplificador de potencia de baja frecuencia. VCEO = 60V DC ganancia de corriente: 20 @ Ic = 3A. Pd = 30W. | USHA India LTD |
58825 | 2SD882 | NPN(for la etapa de la salida de 3 vatios convertidor de amplificador, regulador de voltaje, C.C.-C.C. audio y conductor del relais) | NEC |
58826 | 2SD882 | NPN de potencia medio-bajo juramento transistor de tensión | Unisonic Technologies |
58827 | 2SD882 | Transistor NPN de potencia media | ST Microelectronics |
58828 | 2SD882S | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unisonic Technologies |
58829 | 2SD884 | Si NPN triples difunde plana. Salida de deflexión Horisontal. | Panasonic |
58830 | 2SD886 | Si NPN triples difunde plana. Alta hFE, amplificador de potencia de AF. | Panasonic |
58831 | 2SD886A | Si NPN triples difunde plana. Alta hFE, amplificador de potencia de AF. | Panasonic |
58832 | 2SD888 | Alto hff, amplificador de energía del AF | Unknow |
58833 | 2SD888 | Alto hff, amplificador de energía del AF | Unknow |
58834 | 2SD889 | 2SD889 | Panasonic |
58835 | 2SD889 | 2SD889 | Panasonic |
58836 | 2SD892 | Si NPN darlington epitaxial planar. Amplificador de AF. | Panasonic |
58837 | 2SD892A | Si NPN darlington epitaxial planar. Amplificador de AF. | Panasonic |
58838 | 2SD893 | S | Panasonic |
58839 | 2SD893 | S | Panasonic |
58840 | 2SD893A | S | Panasonic |
| | | |