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2N6516 Fabricado cerca: |
TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Transferencia Directa 2N6516 datasheet de Samsung Electronic |
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Transistores de alta tensión. Tensión de colector-emisor: 250V = VCEO. Tensión colector-base: 250V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | Transferencia Directa 2N6516 datasheet de USHA India LTD |
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Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal Otros con el mismo archivo para el datasheet: 2N6520, 2N6519, 2N6518, 2N6517, 2N6515, |
Transferencia Directa 2N6516 datasheet de Central Semiconductor |
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Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN - Transistor De alto voltaje | Transferencia Directa 2N6516 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 300V VCEO, 0.500A Ic, 30 - hFE | Transferencia Directa 2N6516 datasheet de Continental Device India Limited |
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2N6515RLRM | Vista 2N6516 a nuestro catálogo | 2N6517 |