|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



2N6516 construit près:English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Regardez toutes les fiches techniques de Samsung ElectronicTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN Téléchargement 2N6516 datasheet de
Samsung Electronic		 pdf
41 kb
Regardez toutes les fiches techniques de USHA India LTDLes transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 250V = VCEO. Tension collecteur-base: 250V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. Téléchargement 2N6516 datasheet de
USHA India LTD		 pdf
74 kb
Regardez toutes les fiches techniques de Central SemiconductorPetit Usage universel Plombé De Transistor De Signal

D'autres avec le même dossier pour le fiche technique:
2N6520, 2N6519, 2N6518, 2N6517, 2N6515, 		Téléchargement 2N6516 datasheet de
Central Semiconductor		 pdf
93 kb
Regardez toutes les fiches techniques de Fairchild SemiconductorTransistor Épitaxial De Silicium de NPN - Transistor À haute tension Téléchargement 2N6516 datasheet de
Fairchild Semiconductor		 pdf
29 kb
Regardez toutes les fiches techniques de Continental Device India Limited0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 30 HFE - Téléchargement 2N6516 datasheet de
Continental Device India Limited		 pdf
162 kb
2N6515RLRMVue 2N6516 à notre catalogue2N6517



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com