|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



IRF320 Fabricado cerca:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A.

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
IRF323, IRF322, IRF321, 		Transferencia Directa IRF320 datasheet de
General Electric Solid State		 pdf
167 kb
Opinión todos los datasheets de Intersil2.Å y 3.Á/350V y 400V/mOSFETs de la energía de 1,8 y 2,5 ohmios/N-Canal Transferencia Directa IRF320 datasheet de
Intersil		 pdf
72 kb
Opinión todos los datasheets de Samsung ElectronicMOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Transferencia Directa IRF320 datasheet de
Samsung Electronic		 pdf
218 kb
Opinión todos los datasheets de Fairchild SemiconductorEnergía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 V

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
IRF320-323, IRF721, IRF723, IRF722, 		Transferencia Directa IRF320 datasheet de
Fairchild Semiconductor		 pdf
170 kb
IRF3007SVista IRF320 a nuestro catálogoIRF320-323



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com