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IRF322 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF323, IRF321, IRF320, |
Transferencia Directa IRF322 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF322 datasheet de Samsung Electronic |
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2.Å y 3.Á/350V y 400V/mOSFETs de la energía de 1,8 y 2,5 ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF322 datasheet de Intersil |
pdf 72 kb |
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Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 V Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF320-323, IRF721, IRF723, IRF722, |
Transferencia Directa IRF322 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
IRF321 | Vista IRF322 a nuestro catálogo | IRF323 |