No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
48921 | 2N6500 | TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITŔ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTORE | General Electric Solid State |
48922 | 2N6500 | Transistor NPN, 110V, 4A | SemeLAB |
48923 | 2N6502 | Piccolo Transistore Al piombo Del Segnale Doppio | Central Semiconductor |
48924 | 2N6504 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48925 | 2N6504 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48926 | 2N6504 | Tiristore, 25 ampere, 50 volt | Teccor Electronics |
48927 | 2N6504-D | Tiristori Ostruenti D'inversione | ON Semiconductor |
48928 | 2N6505 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48929 | 2N6505 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48930 | 2N6505 | Tiristore, 25 ampere, 100 volt | Teccor Electronics |
48931 | 2N6505T | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48932 | 2N6505T | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48933 | 2N6506 | Tiristore, 25 ampere, 200 volt | Teccor Electronics |
48934 | 2N6507 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48935 | 2N6507 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48936 | 2N6507 | Tiristore, 25 ampere, 400 volt | Teccor Electronics |
48937 | 2N6507T | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48938 | 2N6507T | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48939 | 2N6508 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48940 | 2N6508 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48941 | 2N6508 | Tiristore, 25 ampere, 600 volt | Teccor Electronics |
48942 | 2N6509 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48943 | 2N6509 | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48944 | 2N6509T | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48945 | 2N6509T | Raddrizzatori Controllati Del Silicone | ON Semiconductor |
48946 | 2N6511 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
48947 | 2N6512 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
48948 | 2N6512 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
48949 | 2N6515 | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN - Transistore Ad alta tensione | Fairchild Semiconductor |
48950 | 2N6515 | Transistore Ad alta tensione 625mW | Micro Commercial Components |
48951 | 2N6515 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
48952 | 2N6515 | Transistori Ad alta tensione | ON Semiconductor |
48953 | 2N6515 | Scopo 0.625W generale NPN transistor di plastica piombo. 250V Vceo, nominale 0,500A Ic, 35 - hFE | Continental Device India Limited |
48954 | 2N6515 | Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | MCC |
48955 | 2N6515 | High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 250V. Collector-base voltage: Vcbo = 250V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. | USHA India LTD |
48956 | 2N6515-D | Transistori Ad alta tensione | ON Semiconductor |
48957 | 2N6515RLRM | Transistori Ad alta tensione | ON Semiconductor |
48958 | 2N6516 | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN - Transistore Ad alta tensione | Fairchild Semiconductor |
48959 | 2N6516 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
48960 | 2N6516 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
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