| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 48961 | 2N6516 | Scopo 0.625W generale NPN transistor di plastica piombo. 300V Vceo, nominale 0,500A Ic, 30 - hFE | Continental Device India Limited |
| 48962 | 2N6516 | High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 250V. Collector-base voltage: Vcbo = 250V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 48963 | 2N6517 | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN - Transistore Ad alta tensione | Fairchild Semiconductor |
| 48964 | 2N6517 | TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE MEDIO PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Zetex Semiconductors |
| 48965 | 2N6517 | Transistore Ad alta tensione 625mW | Micro Commercial Components |
| 48966 | 2N6517 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 48967 | 2N6517 | Transistori Ad alta tensione | ON Semiconductor |
| 48968 | 2N6517 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
| 48969 | 2N6517 | Scopo 0.625W generale NPN transistor di plastica piombo. 350V Vceo, nominale 0,500A Ic, 20 - hFE | Continental Device India Limited |
| 48970 | 2N6517 | Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | MCC |
| 48971 | 2N6517 | High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 350V. Collector-base voltage: Vcbo = 350V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 48972 | 2N6517BU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48973 | 2N6517CBU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48974 | 2N6517CTA | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48975 | 2N6517RLRA | Transistori Ad alta tensione | ON Semiconductor |
| 48976 | 2N6517RLRP | Transistori Ad alta tensione | ON Semiconductor |
| 48977 | 2N6517TA | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48978 | 2N6518 | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP - Transistore Ad alta tensione | Fairchild Semiconductor |
| 48979 | 2N6518 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 48980 | 2N6518 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
| 48981 | 2N6518 | High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -250V. Collector-base voltage: Vcbo = -250V. Collector dissipation: Pc(max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 48982 | 2N6518BU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48983 | 2N6518TA | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48984 | 2N6519 | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP - Transistore Ad alta tensione | Fairchild Semiconductor |
| 48985 | 2N6519 | Transistore Ad alta tensione 625mW | Micro Commercial Components |
| 48986 | 2N6519 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 48987 | 2N6519 | Transistori Ad alta tensione | ON Semiconductor |
| 48988 | 2N6519 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
| 48989 | 2N6519 | Scopo 0.625W generale PNP Transistor plastica piombo. 300V Vceo, nominale 0,500A Ic, 30 - hFE | Continental Device India Limited |
| 48990 | 2N6519 | Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | MCC |
| 48991 | 2N6519 | High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -300V. Collector-base voltage: Vcbo = -300V. Collector dissipation: Pc(max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 48992 | 2N6519BU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48993 | 2N6519RLRA | Transistori ad alta tensione | ON Semiconductor |
| 48994 | 2N6519TA | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48995 | 2N6520 | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP - Transistore Ad alta tensione | Fairchild Semiconductor |
| 48996 | 2N6520 | TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE MEDIO PLANARE DEL SILICONE DI PNP | Zetex Semiconductors |
| 48997 | 2N6520 | Transistore Ad alta tensione 625mW | Micro Commercial Components |
| 48998 | 2N6520 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 48999 | 2N6520 | Transistori Ad alta tensione | ON Semiconductor |
| 49000 | 2N6520 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Samsung Electronic |
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