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Osservare tutti i fogli di dati per Intersil25A e 30A, 150V e 200V, 0,085 e 0,120 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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Intersil		 pdf
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Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura

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IRF250, 		Scarica IRF251 datasheet de
Samsung Electronic		 pdf
220 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 30A. Scarica IRF251 datasheet de
General Electric Solid State		 pdf
200 kb
IRF250SMDVista IRF251 al nostro catalogoIRF252



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