|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



IRF330 prodotto da:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorMOSFETs/5.Ä/350 V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF731, IRF733, IRF330-333, IRF331, IRF732,
Scarica IRF330 datasheet de
Fairchild Semiconductor
pdf
182 kb
Osservare tutti i fogli di dati per IntersilMosfet Di Alimentazione 400V/Di 5.Ä/1,000 Ohm/N-Scanalatura Scarica IRF330 datasheet de
Intersil
pdf
62 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF332, IRF333,
Scarica IRF330 datasheet de
Samsung Electronic
pdf
213 kb
Osservare tutti i fogli di dati per International Rectifier400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
2N6760, JANTX2N6760, JANTXV2N6760,
Scarica IRF330 datasheet de
International Rectifier
pdf
152 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.5A. Scarica IRF330 datasheet de
General Electric Solid State
pdf
167 kb
IRF323Vista IRF330 al nostro catalogoIRF330-333



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com