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| IRF630 prodotto da: | 
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 | N-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/to220-fp D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF630FP, |
Scarica IRF630 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 349 kb |
 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 9.0A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF633, IRF632, IRF631, |
Scarica IRF630 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
 | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | Scarica IRF630 datasheet de International Rectifier |
pdf 182 kb |
 | MOSFETs Di Alimentazione 200V/Di 9A/0,400 Ohm/N-Scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: RF1S630SM, |
Scarica IRF630 datasheet de Intersil |
pdf 67 kb |
 | N-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/to220-fp | Scarica IRF630 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 109 kb |
 | transistore di TrenchMOS(tm) della N-scanalatura | Scarica IRF630 datasheet de Philips |
pdf 103 kb |
| N - MANICA 200V - 0.35W - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/fp | Scarica IRF630 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 109 kb |
 | 9A, 200V, 0,400 Ohm, MOSFETs Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Scarica IRF630 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 134 kb |
| IRF624STRR | Vista IRF630 al nostro catalogo | IRF630A |