 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| IRF630 изготавливается путем: | 
|
 | N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A -
MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FP Другие с той же файл данные: IRF630FP, |
скачать IRF630 лист данных ( datasheet ) от ST Microelectronics |
pdf 349 kb |
 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 9.0a. Другие с той же файл данные: IRF633, IRF632, IRF631, |
скачать IRF630 лист данных ( datasheet ) от General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
 | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-220AB | скачать IRF630 лист данных ( datasheet ) от International Rectifier |
pdf 182 kb |
 | 9A/ 200V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
0.400 Омов Другие с той же файл данные: RF1S630SM, |
скачать IRF630 лист данных ( datasheet ) от Intersil |
pdf 67 kb |
 | N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FP | скачать IRF630 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 109 kb |
 | транзистор TrenchMOS(tm) Н-kanala | скачать IRF630 лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 103 kb |
| Н - КАНАЛ 200V - 0.35W - 9A - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/FP | скачать IRF630 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 109 kb |
 | 9A, 200V, 0.400 Ома, MOSFETs Силы Н-Kanala | скачать IRF630 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 134 kb |
| IRF624STRR | Посмотреть IRF630 в наш каталог | IRF630A |