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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
492412N6730Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
492422N67300.850W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 100V VCEO, 1.000A Ic, 80 - hFEContinental Device India Limited
492432N6730PNP SILICONE PLANAR potência média TRANSISTORSDiodes
492442N6731TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE NPNZetex Semiconductors
492452N6731Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
492462N6731NPN SILICONE PLANAR média potência TRANSISTORDiodes
492472N6732TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE PNPZetex Semiconductors
492482N6732Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
492492N6732PNP SILICONE PLANAR média potência TRANSISTORDiodes
492502N6733Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
492512N6734Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
492522N6735Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
492532N6735Transistor De PoderCentral Semiconductor
492542N6737Transistor De PoderCentral Semiconductor
492552N6737Transistor De PoderCentral Semiconductor
492562N6738PODER TRANSISTORS(8.0A, 100w)MOSPEC Semiconductor
492572N6738TRANSISTOR DE PODER DA SÉRIE NPN DE SWITCHMODEBoca Semiconductor Corporation
492582N6739PODER TRANSISTORS(8.0A, 100w)MOSPEC Semiconductor
492592N6739TRANSISTOR DE PODER DA SÉRIE NPN DE SWITCHMODEBoca Semiconductor Corporation



492602N6740PODER TRANSISTORS(8.0A, 100w)MOSPEC Semiconductor
492612N6740TRANSISTOR DE PODER DA SÉRIE NPN DE SWITCHMODEBoca Semiconductor Corporation
492622N6740100.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 400V VCEO, 8.000A Ic, 10-40 hFE.Continental Device India Limited
492632N6751Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
492642N67515 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.General Electric Solid State
492652N67525 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.General Electric Solid State
492662N6753Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
492672N6753Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
492682N67535 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.General Electric Solid State
492692N6754Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
492702N67545 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN.General Electric Solid State
492712N6755MOSFETs/ 14 A 60 A/100 V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492722N6755N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 12A.General Electric Solid State
492732N6756100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AAInternational Rectifier
492742N6756MOSFETs/ 14 A 60 A/100 V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492752N6756N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 14A.General Electric Solid State
492762N6757MOSFETs/ 9A/ 150V/200V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492772N6757N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
492782N6758200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AAInternational Rectifier
492792N6758MOSFETs/ 9A/ 150V/200V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
492802N6758N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 9.0a.General Electric Solid State
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