|
| Primeira página | Todos os fabricantes | Pela Função | |
|
Salto rápido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF430 Manufaturado perto: |
N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A. Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF431, IRF433, IRF432, |
Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
|
MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta Outros com a mesma lima para o datasheet: IRF833, IRF831, IRF832, IRF430-433, |
Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do Fairchild Semiconductor |
pdf 146 kb |
|
MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
|
4.5A/ 500V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 1.500 Ohm | Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do Intersil |
pdf 61 kb |
|
500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA Outros com a mesma lima para o datasheet: JANTX2N6762, JANTXV2N6762, 2N6762, |
Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do International Rectifier |
pdf 151 kb |
|
MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do SemeLAB |
pdf 27 kb |
IRF423 | Vista IRF430 a nosso catálogo | IRF430-433 |