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Veja todos os datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A.

Outros com a mesma lima para o datasheet:
IRF431, IRF433, IRF432,
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General Electric Solid State
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167 kb
Veja todos os datasheets de Fairchild SemiconductorMOSFETs/ 4.5 A 450V/500V Do Poder Da N-Canaleta

Outros com a mesma lima para o datasheet:
IRF833, IRF831, IRF832, IRF430-433,
Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do
Fairchild Semiconductor
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146 kb
Veja todos os datasheets de Samsung ElectronicMOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do
Samsung Electronic
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216 kb
Veja todos os datasheets de Intersil4.5A/ 500V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 1.500 Ohm Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do
Intersil
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Veja todos os datasheets de International Rectifier500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA

Outros com a mesma lima para o datasheet:
JANTX2N6762, JANTXV2N6762, 2N6762,
Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do
International Rectifier
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151 kb
Veja todos os datasheets de SemeLABMOSFET DO PODER DE N-CHANNEL Pdf da folha de dados do download IRF430 datasheet do
SemeLAB
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IRF423Vista IRF430 a nosso catálogoIRF430-433



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