| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 47961 | 2N5786 | Кремния NPN эпитаксиальный-база транзистора. 45V, 10W. | General Electric Solid State |
| 47962 | 2N5793 | NPN Удваивают Транзисторы | Microsemi |
| 47963 | 2N5793 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ДВОЙНОЙ | Central Semiconductor |
| 47964 | 2N5794 | NPN Удваивают Транзисторы | Microsemi |
| 47965 | 2N5794 | Освинцованный Малый Транзистор Сигнала Двойной | Central Semiconductor |
| 47966 | 2N5794U | NPN Удваивают Транзисторы | Microsemi |
| 47967 | 2N5794U | Для установки на поверхности двойной NPN транзистор | Optek Technology |
| 47968 | 2N5795 | PNP Удваивают Транзисторы | Microsemi |
| 47969 | 2N5796 | PNP Удваивают Транзисторы | Microsemi |
| 47970 | 2N5796 | Освинцованный Малый Транзистор Сигнала Двойной | Central Semiconductor |
| 47971 | 2N5796U | PNP Удваивают Транзисторы | Microsemi |
| 47972 | 2N5796U | Для установки на поверхности двойной PNP транзистор | Optek Technology |
| 47973 | 2N5810 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47974 | 2N5810 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47975 | 2N5811 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47976 | 2N5811 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47977 | 2N5812 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47978 | 2N5812 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47979 | 2N5813 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47980 | 2N5813 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47981 | 2N5814 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47982 | 2N5815 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47983 | 2N5816 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47984 | 2N5816 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47985 | 2N5817 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47986 | 2N5817 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47987 | 2N5818 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47988 | 2N5818 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47989 | 2N5819 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47990 | 2N5819 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47991 | 2N5820 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47992 | 2N5821 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47993 | 2N5822 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47994 | 2N5822 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47995 | 2N5823 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ AF КРЕМНИЯ СРЕДСТВ | Micro Electronics |
| 47996 | 2N5823 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47997 | 2N5830 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47998 | 2N5830 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | Micro Electronics |
| 47999 | 2N5830 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 48000 | 2N5830_D26Z | General purpose Amplifer NPN | Fairchild Semiconductor |
| | | |
