| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 48041 | 2N5881 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48042 | 2N5882 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48043 | 2N5882 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48044 | 2N5882 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48045 | 2N5882-D | Транзистор Высок-Sily Кремния NPN | ON Semiconductor |
| 48046 | 2N5883 | СИЛА TRANSISTORS(25ЈA, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48047 | 2N5883 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48048 | 2N5883 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48049 | 2N5883 | Сила 25ЈA 60V Дискретное PNP | ON Semiconductor |
| 48050 | 2N5883-D | Комплементарные Транзисторы Высок-Sily Кремния | ON Semiconductor |
| 48051 | 2N5884 | СИЛА TRANSISTORS(25ЈA, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48052 | 2N5884 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48053 | 2N5884 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48054 | 2N5884 | Сила 25ЈA 80V Дискретное PNP | ON Semiconductor |
| 48055 | 2N5884 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ВЫСОКОЙ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 48056 | 2N5884 | HFE мин 20 Полярность транзистора PNP Текущий Ic непрерывный макс 25 Напряжение VCEO 80 В Ток Ic (HFE) 10 Мощность Ptot 200 Вт Температура мощность 25 | SGS Thomson Microelectronics |
| 48057 | 2N5885 | СИЛА TRANSISTORS(25ЈA, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48058 | 2N5885 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48059 | 2N5885 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48060 | 2N5885 | Сила 25ЈA 60V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
| 48061 | 2N5885 | Высокая тока, высокой мощности, высокоскоростной мощный транзистор. 60V, 200W. | General Electric Solid State |
| 48062 | 2N5886 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ВЫСОКОЙ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 48063 | 2N5886 | ВЫСОКИЙ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ
NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 48064 | 2N5886 | СИЛА TRANSISTORS(25ЈA, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48065 | 2N5886 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48066 | 2N5886 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48067 | 2N5886 | Сила 25ЈA 80V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
| 48068 | 2N5886 | Высокая тока, высокой мощности, высокоскоростной мощный транзистор. 80V, 200W. | General Electric Solid State |
| 48069 | 2N5902 | МОНОЛИТОВЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ GENERAL
PURPOSE КАНАЛА JFET Н | Intersil |
| 48070 | 2N5903 | МОНОЛИТОВЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ GENERAL
PURPOSE КАНАЛА JFET Н | Intersil |
| 48071 | 2N5904 | МОНОЛИТОВЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ GENERAL
PURPOSE КАНАЛА JFET Н | Intersil |
| 48072 | 2N5905 | Низкая Утечка, Низкое Смещение, Монолитовое Удваивает,
Н-Kanal JFET | Linear Systems |
| 48073 | 2N5905 | МОНОЛИТОВЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ GENERAL
PURPOSE КАНАЛА JFET Н | Intersil |
| 48074 | 2N5906 | Низкая Утечка, Низкое Смещение, Монолитовое Удваивает,
Н-Kanal JFET | Linear Systems |
| 48075 | 2N5906 | МОНОЛИТОВЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ GENERAL
PURPOSE КАНАЛА JFET Н | Intersil |
| 48076 | 2N5907 | Низкая Утечка, Низкое Смещение, Монолитовое Удваивает,
Н-Kanal JFET | Linear Systems |
| 48077 | 2N5907 | МОНОЛИТОВЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ GENERAL
PURPOSE КАНАЛА JFET Н | Intersil |
| 48078 | 2N5908 | Низкая Утечка, Низкое Смещение, Монолитовое Удваивает,
Н-Kanal JFET | Linear Systems |
| 48079 | 2N5908 | МОНОЛИТОВЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ GENERAL
PURPOSE КАНАЛА JFET Н | Intersil |
| 48080 | 2N5909 | Низкая Утечка, Низкое Смещение, Монолитовое Удваивает,
Н-Kanal JFET | Linear Systems |
| | | |
