Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1162601 | STB25NM60NT4 | Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈME | ST Microelectronics |
1162602 | STB26NM60N | N-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 20 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
1162603 | STB26NM60ND | N-canal 600 V, 0,145 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
1162604 | STB270N4F3 | N-canal 40 V, 1,6 mOhm typ., 160 A STripFET (TM) III PowerMOSFET dans le package de D2PAK | ST Microelectronics |
1162605 | STB27NM60ND | N-canal 600 V, 0,13 Ohm, 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans D2PAK | ST Microelectronics |
1162606 | STB28N60M2 | N-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 22 A MDmesh II Plus (TM) faible puissance MOSFET Qg en conditionnement D2PAK | ST Microelectronics |
1162607 | STB28NM50N | N-canal 500 V, 0,135 Ohm typ., 21 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
1162608 | STB28NM60ND | N-canal 600 V, 0,120 Ohm typ., 24 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
1162609 | STB2N62K3 | N-canal 620 V, 3 Ohm, 2.2 A, D2PAK SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1162610 | STB3015 | N - La MANCHE 30V - 0.013 ohm - 40A - transistor MOSFET de PUISSANCE de D2PAK/TO-220 STripFETO | ST Microelectronics |
1162611 | STB3015 | N - La MANCHE 30V - 0.013 ohm - 40A - transistor MOSFET de PUISSANCE de D2PAK/TO-220 STripFETO | ST Microelectronics |
1162612 | STB3015L | N-canal 30V - 0,013 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2pak/to-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
1162613 | STB3015L | N - la MANCHE 30V - 0,013 W - 40A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De D 2 Pak/to-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162614 | STB3015L | N-canal 30V - 0,013 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2pak/to-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162615 | STB3020L | N-canal 30V - 0,013 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2pak/to-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162616 | STB30N10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1162617 | STB30N10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
1162618 | STB30N10 | N - La MANCHE 100V - 0.0Õhm - 30A - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
1162619 | STB30N65M5 | N-canal 650 V, 0,125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance D2PAK | ST Microelectronics |
1162620 | STB30NE06L | N-canal 60V - 0,35 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
1162621 | STB30NE06L | N-canal 60V - 0,35 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162622 | STB30NE06L | N - la MANCHE 60V - 0,35 Ohms - 30A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162623 | STB30NF10 | Transistor MOSFET de la PUISSANCE II de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 100V 0,038 BAS | ST Microelectronics |
1162624 | STB30NF10 | Transistor MOSFET de la PUISSANCE II de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 100V 0,038 BAS | SGS Thomson Microelectronics |
1162625 | STB30NF10T4 | Transistor MOSFET de la PUISSANCE II de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 100V 0,038 BAS | ST Microelectronics |
1162626 | STB30NF20 | N-canal 200 V, 0,065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1162627 | STB30NF20L | N-canal 200 V, 0,065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1162628 | STB30NS15 | N-canal 150V - 0,075 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 30A D2PAK | ST Microelectronics |
1162629 | STB31N65M5 | N-canal 650 V, 0,124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
1162630 | STB32N65M5 | N-canal 650 V, 0,095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans D2PAK | ST Microelectronics |
1162631 | STB32NM50N | N-canal 500 V, 0,1 Ohm typ., 22 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
1162632 | STB33N60M2 | N-canal 600 V, 0,108 Ohm typ., 26 A MDmesh II Plus (TM) faible puissance MOSFET Qg en conditionnement D2PAK | ST Microelectronics |
1162633 | STB34N65M5 | N-canal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
1162634 | STB34NM60N | N-canal 600 V, 0,092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans D2PAK | ST Microelectronics |
1162635 | STB34NM60ND | N-canal 600 V, 0,097 Ohm, 29 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) D2PAK | ST Microelectronics |
1162636 | STB35N65M5 | N-canal 650 V, 0,085 Ohm, 27 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans D2PAK | ST Microelectronics |
1162637 | STB35NF10 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 40A To-220/d2pak Du N-canal 100V 0.030 BAS | ST Microelectronics |
1162638 | STB35NF10 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 40A To-220/d2pak Du N-canal 100V 0.030 BAS | SGS Thomson Microelectronics |
1162639 | STB35NF10T4 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 40A To-220/d2pak Du N-canal 100V 0.030 BAS | ST Microelectronics |
1162640 | STB36NF02L | N-canal 20V - 0,016 OHMS - 3Ã - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de D2PAK | ST Microelectronics |
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