| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1162641 | STB36NF02L | N-canal 20V - 0,016 W - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 3Ã D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162642 | STB36NF03L | N-canal 30V - 0,015 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 3Ã D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162643 | STB36NF03L | N-canal 30V - 0,015 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 3Ã D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162644 | STB36NF03L | N - la MANCHE 30V - 0,015 Ohms - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 3Ã D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162645 | STB36NF03LT4 | N-canal 30V - 0,015 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 3Ã D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162646 | STB36NF06L | N-canal 60V - 0,032 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162647 | STB36NF06LT4 | N-canal 60V - 0,032 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162648 | STB36NM60N | Automobile qualité à canal N 600 V, 0,092 Ohm typ., 29 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162649 | STB36NM60ND | Automobile qualité à canal N 600 V, 0,097 Ohm typ., 29 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162650 | STB38N65M5 | N-canal 650 V, 0,073 Ohm typ., 30 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162651 | STB3N60-1 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1162652 | STB3N60-1 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162653 | STB3NA60-1 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162654 | STB3NA80 | TRANSISTOR RAPIDE de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | ST Microelectronics |
| 1162655 | STB3NA80 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162656 | STB3NB60 | N-canal 600V - 3,3 OHMS - 3,3 A - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1162657 | STB3NB60 | N - la MANCHE 600V - 3,3 Ohms - 3.Á - Transistor MOSFET De D 2 PAK/i 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162658 | STB3NB60T4 | N-canal 600V - 3,3 OHMS - 3,3 A - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1162659 | STB3NC60 | N-canal 600V - 3,3 OHMS - Á - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak POWERMESH II | ST Microelectronics |
| 1162660 | STB3NC60 | N - la MANCHE 600V - Transistor MOSFET De 3.Óhm -á-d 2 PAK/i 2 PAK PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162661 | STB3NC60T4 | N-canal 600V - 3,3 OHMS - Á - Transistor MOSFET de D2PAK/i2pak POWERMESH II | ST Microelectronics |
| 1162662 | STB3NC90 | N-CHANNEL 900V - 3.2W - Transistor MOSFET Zener-Protégé par D2PAK De 3.5A PowerMESH.?I | ST Microelectronics |
| 1162663 | STB3NC90 | N-CHANNEL 900V - 3.2W - Transistor MOSFET Zener-Protégé par D2PAK De 3.5A PowerMESH.?I | ST Microelectronics |
| 1162664 | STB3NC90Z | l'cOhm 3.Ä D2PAK Du N-canal 900V 3,2 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1162665 | STB3NC90Z | l'cOhm 3.Ä D2PAK Du N-canal 900V 3,2 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162666 | STB3NC90Z-1 | l'cOhm 3.Ä To-220/to-220fp/i2pak Du N-canal 900V 3,2 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1162667 | STB3NC90Z-1 | l'cOhm 3.Ä To-220/to-220fp/i2pak Du N-canal 900V 3,2 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162668 | STB3NK60Z | Le N-canal 600V - 3,3 OHMS - 2. To-220/to-220fp/d2pak/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162669 | STB3NK60ZT4 | Le N-canal 600V - 3,3 OHMS - 2. To-220/to-220fp/d2pak/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162670 | STB40N20 | N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - BAS Transistor MOSFET De STripFET de CHARGE de PORTE De 40A TO-220/TO-247/D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162671 | STB40N20 | N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - BAS Transistor MOSFET De STripFET de CHARGE de PORTE De 40A TO-220/TO-247/D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162672 | STB40N60M2 | N-canal 600 V, 0,078 Ohm typ., 34 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en boîtier TO-220FP | ST Microelectronics |
| 1162673 | STB40NE03L-20 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1162674 | STB40NE03L-20 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162675 | STB40NE03L-20 | N - Transistor MOSFET SIMPLE De PUISSANCE De ö De TAILLE De DISPOSITIF De ö De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE ] | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162676 | STB40NF03L | N-canal 30V - 0,020 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162677 | STB40NF03L | N-canal 30V - 0,020 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162678 | STB40NF03L | N - la MANCHE 30V - 0,020 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162679 | STB40NF10 | N-canal 100V - 0,024 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 50A To-220/d2pak/i2pak | ST Microelectronics |
| 1162680 | STB40NF10 | N-canal 100V - 0,025 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 40A D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
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