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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1164241STD3PS25-1P-canal 250V - 2,1 OHMS - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De Á DPAK/ipakST Microelectronics
1164242STD3PS25T4P-canal 250V - 2,1 OHMS - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De Á DPAK/ipakST Microelectronics
1164243STD40NE03LN-canal 30V - 0,012 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A To-252 STRIPFETST Microelectronics
1164244STD40NE03LN - la MANCHE 30V - 0,012 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A To-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1164245STD40NF02LN-canal 20V - 0,0095 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 40A DPAKST Microelectronics
1164246STD40NF02LN-canal 20V - 0,0095 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 40A DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164247STD40NF02LN-canal 20V - 0,01 Ohms - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 40A DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164248STD40NF03LN-canal 30V - 0,0095 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 40A DPAKST Microelectronics
1164249STD40NF03LN-canal 30V - 0,0095 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 40A DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164250STD40NF03LN - la MANCHE 30V - 0,012 Ohms - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 40A DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164251STD40NF03LT4N-canal 30V - 0,0095 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 40A DPAKST Microelectronics
1164252STD40NF06N-canal 60V - 0,024 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164253STD40NF06LZLe N-canal 60V - 0,020 OHMS - 40A DPAK Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de STRIPFET IIST Microelectronics
1164254STD40NF06LZLe N-canal 60V - 0,020 OHMS - 40A DPAK Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1164255STD40NF06LZT4Le N-canal 60V - 0,020 OHMS - 40A DPAK Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de STRIPFET IIST Microelectronics
1164256STD40NF06T4N-canal 60V - 0,024 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164257STD40NF10N-canal 100 V, 0,025 Ohm, 50 A DPAK faible charge de grille STripFET (TM) II MOSFET de puissanceST Microelectronics
1164258STD40NF3LLN-canal 30V - 0,0095 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 40A DPAKST Microelectronics



1164259STD40NF3LLN-canal 30V - 0,0095 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 40A DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164260STD40NF3LLN-canal 30V - 0,0095 Ohms - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 40A DPAK ]SGS Thomson Microelectronics
1164261STD40NF3LLT4N-canal 30V - 0,009 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 40A DPAKST Microelectronics
1164262STD44N4LF6N-canal 40 V, 8,9 mOhm, 44 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
1164263STD45N10F7N-canal 100 V, 0,013 Ohm typ., 45 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164264STD45NF03LN-canal 30V - 0,011 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 4Ä DPAK STRIPFETST Microelectronics
1164265STD45NF03LN - la MANCHE 30V - 0,011 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 4Ä DPAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
1164266STD45NF75N-canal 75V - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 0,018 OHMS -40A DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164267STD45NF75T4N-canal 75V - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 0,018 OHMS -40A DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164268STD4A60STriacs Sensibles De PorteSemiWell Semiconductor
1164269STD4A60STriacs Sensibles De PorteSemiWell Semiconductor
1164270STD4A60STriacs Sensibles De PorteSemiWell Semiconductor
1164271STD4N20N-canal 200V - 1,2 OHMS - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De  DPAK/ipakST Microelectronics
1164272STD4N20-1N-canal 200V - 1,2 OHMS - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De  DPAK/ipakST Microelectronics
1164273STD4N25N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1164274STD4N25-1TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canalST Microelectronics
1164275STD4N25-1TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canalSGS Thomson Microelectronics
1164276STD4N52K3N-canal 525 V, 2,5 A, 2,1 Ohm typ., SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164277STD4N62K3N-canal 620 V, 1,7 Ohm typ., 3,8 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164278STD4N80K5N-canal 800 V, 2,1 Ohm typ., 3 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164279STD4NA40N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1164280STD4NA40-1TRANSISTOR RAPIDE de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canalST Microelectronics
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