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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1164041STD20NF06T4N-canal 60V - 0,032 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2Â DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164042STD20NF10N-canal 100V - 0,038 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 30A IPAK/dpakST Microelectronics
1164043STD20NF10N-canal 100V - 0,038 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 30A IPAK/dpakSGS Thomson Microelectronics
1164044STD20NF10T4N-canal 100V - 0,038 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 30A IPAK/dpakST Microelectronics
1164045STD20NF20Canal N 200V - 0.10Ohm -18A- DPAK / A-220 / A-220FPST Microelectronics
1164046STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Transistor MOSFET ULTRA BASDe MDmesh II de CHARGE de PORTE De 22A DPAKST Microelectronics
1164047STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Transistor MOSFET ULTRA BASDe MDmesh II de CHARGE de PORTE De 22A DPAKST Microelectronics
1164048STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Transistor MOSFET ULTRA BASDe MDmesh II de CHARGE de PORTE De 22A DPAKST Microelectronics
1164049STD22NM20NT4N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Transistor MOSFET ULTRA BASDe MDmesh II de CHARGE de PORTE De 22A DPAKST Microelectronics
1164050STD22NM20NT4N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Transistor MOSFET ULTRA BASDe MDmesh II de CHARGE de PORTE De 22A DPAKST Microelectronics
1164051STD22NM20NT4N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - Transistor MOSFET ULTRA BASDe MDmesh II de CHARGE de PORTE De 22A DPAKST Microelectronics
1164052STD25N10F7N-canal 100 V, 0,027 Ohm typ., 25 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164053STD25NE03LN - la MANCHE 30V - 0,019 Ohms - 2Ä - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-251/to-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1164054STD25NE03LTransistor MOSFET De N-canalST Microelectronics
1164055STD25NF10Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 2Ä DPAK Du N-canal 100V 0,033 BASST Microelectronics
1164056STD25NF10Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 2Ä DPAK Du N-canal 100V 0,033 BASSGS Thomson Microelectronics
1164057STD25NF10LN-canal 100V - 0.030 OHM - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 2Ä DPAKST Microelectronics
1164058STD25NF10LAN-canal 100 V, 0,030 Ohm, 25 A, DPAK STripFET (TM) II MOSFET de puissanceST Microelectronics
1164059STD25NF10LT4N-canal 100V - 0.030 OHM - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 2Ä DPAKST Microelectronics



1164060STD25NF10T4Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 2Ä DPAK Du N-canal 100V 0,033 BASST Microelectronics
1164061STD25NF20N-canal 200 V, 0,10 Ohm typ., 18 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164062STD26NF10Canal N 100V - 0.033Ohm - 25A - DPAKST Microelectronics
1164063STD26P3LLH6À canal P 30 V, 0,024 Ohm typ., 12 A, STripFET (TM) VI DeepGATE transistor MOSFET de puissance dans un paquet de DPAKST Microelectronics
1164064STD2805Basse tension à commutation rapide transistor de puissance PNPST Microelectronics
1164065STD2805T4Basse tension à commutation rapide transistor de puissance PNPST Microelectronics
1164066STD29NF03LN-canal 30V - 0,015 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 29A IPAK/dpakST Microelectronics
1164067STD29NF03LN-canal 30V - 0,015 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 29A IPAK/dpakSGS Thomson Microelectronics
1164068STD29NF03LN - la MANCHE 30V - 0,018 Ohms - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 29A DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164069STD29NF03LT4N-canal 30V - 0,015 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 29A IPAK/dpakST Microelectronics
1164070STD2HNK60ZN-canal 600 V, 4,4 Ohm, deux Zener protégées SuperMESH (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164071STD2HNK60Z-1Le N-canal 600V - 4,4 OHMS - 2.0A To-220fp/to-92/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESHST Microelectronics
1164072STD2LN60K3N-canal 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164073STD2N50N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1164074STD2N50Transistor MOSFET De N-canalST Microelectronics
1164075STD2N50-1VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1164076STD2N50-1VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1164077STD2N62K3N-canal 620 V, 3 Ohm typ., 2,2 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164078STD2N80K5N-canal 800 V, 3,5 Ohm typ., 2 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164079STD2N95K5N-canal 950 V, 4,2 Ohm typ., 2 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164080STD2NA50N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
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