| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1179881 | STTS751-0DP3F | Capteur de température numérique local 2,25 V à basse tension | ST Microelectronics |
| 1179882 | STTS751-0WB3F | Capteur de température numérique local 2,25 V à basse tension | ST Microelectronics |
| 1179883 | STTS751-1DP3F | Capteur de température numérique local 2,25 V à basse tension | ST Microelectronics |
| 1179884 | STTS751-1WB3F | Capteur de température numérique local 2,25 V à basse tension | ST Microelectronics |
| 1179885 | STTS75DS2F | Capteur de température numérique et de contrôle thermique | ST Microelectronics |
| 1179886 | STTS75M2F | Capteur de température numérique et de contrôle thermique | ST Microelectronics |
| 1179887 | STU10N60M2 | N-canal 600 V, 0,55 Ohm typ., 7,5 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1179888 | STU10NA50 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179889 | STU10NA50 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179890 | STU10NB80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179891 | STU10NB80 | N - la MANCHE 800V - 0.6Öhms - 10A - Transistor MOSFET De Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179892 | STU10NC70Z | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179893 | STU10NC70ZI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179894 | STU10NM60N | N-canal 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, IPAK MDmesh (TM) II MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1179895 | STU10P6F6 | P-canal 60 V, 0,13 Ohm typ., 10 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1179896 | STU11N65M2 | N-canal 650 V, 0,6 Ohm typ., 7 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1179897 | STU11NB60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179898 | STU11NB60 | N-canal 600V - 0.Öhm - 11A - Transistor MOSFET De Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179899 | STU11NC60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179900 | STU11NC60 | N-canal 600V - 0.48Ohm - Transistor MOSFET De 11A Max220 PowerMesh II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179901 | STU1224N | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179902 | STU1224N | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179903 | STU12N65M5 | NN-canal 650 V, 0,39 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance IPAK | ST Microelectronics |
| 1179904 | STU13005N | Haute tension à commutation rapide transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 1179905 | STU13N60M2 | N-canal 600 V, 0,35 Ohm typ., 11 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1179906 | STU13NB60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179907 | STU13NB60 | Transistor MOSFET De PowerMESH de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179908 | STU13NC50 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179909 | STU13NC50 | N-canal 500V Transistor MOSFET Du 1Á MAX220 POWERMESH II De 0,31 OHMS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179910 | STU13NM60N | N-canal 600 V, 0,28 Ohm typ., 11 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1179911 | STU14NA50 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179912 | STU14NA50 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179913 | STU14NA50 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179914 | STU16N65M2 | N-canal 650 V, 0,32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1179915 | STU16NB50 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179916 | STU16NB50 | N-canal 500V - 0.28W - Transistor MOSFET De 15.Ã-Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179917 | STU16NC50 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1179918 | STU16NC50 | Transistor MOSFET de l'cOhm 1Ã MAX220 POWERMESH II Du N-canal 500V 0,22 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179919 | STU1HN60K3 | N-canal 600 V, 6,4 Ohm typ., 1,2 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1179920 | STU2071 | CIRCUIT D'cInterface De 4B3T U | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
