Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1180081 | STU8NC90ZI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1180082 | STU8NC90ZI | l'cOhm 7.Ã MAX220/I-max220 Du N-canal 900V 1,1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
1180083 | STU8NM50N | N-canal 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans IPAK | ST Microelectronics |
1180084 | STU90N4F3 | N-canal 40V - 5,4 Ohm - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK | ST Microelectronics |
1180085 | STU9N60M2 | N-canal 600 V, 0,72 Ohm typ., 5,5 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
1180086 | STU9N65M2 | N-canal 650 V, 0,79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
1180087 | STU9NA60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1180088 | STU9NA60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
1180089 | STU9NA60 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1180090 | STU9NB80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1180091 | STU9NB80 | N-canal 800V - 0,85 Ohms - 9.Á - Transistor MOSFET De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1180092 | STU9NC80 | N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-A protégé leTransistor MOSFET De PowerMESH¢âIII | ST Microelectronics |
1180093 | STU9NC80 | N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-A protégé leTransistor MOSFET De PowerMESH¢âIII | ST Microelectronics |
1180094 | STU9NC80Z | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1180095 | STU9NC80ZI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1180096 | STU9NC90ZI | N-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-A protégé leTransistor MOSFET De PowerMESH¢âIII | ST Microelectronics |
1180097 | STU9NC90ZI | N-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-A protégé leTransistor MOSFET De PowerMESH¢âIII | ST Microelectronics |
1180098 | STUB010 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180099 | STUB011 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180100 | STUB012 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180101 | STUB013 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180102 | STUB015 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180103 | STUB016 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180104 | STUB018 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180105 | STUB020 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180106 | STUB022 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180107 | STUB024 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180108 | STUB027 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180109 | STUB030 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180110 | STUB033 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180111 | STUB036 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180112 | STUB039 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180113 | STUB043 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180114 | STUB047 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180115 | STUB051 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180116 | STUB056 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180117 | STUB062 | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180118 | STUB068 | Travailler tension inverse de crête: 58,1 V, 1 mA, 400 W surface de montage transitoire suppresseur de tension | EIC discrete Semiconductors |
1180119 | STUB06I | FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
1180120 | STUB075 | Travailler tension inverse de crête: 64,1 V, 1 mA, 400 W surface de montage transitoire suppresseur de tension | EIC discrete Semiconductors |
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