|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 29498 | 29499 | 29500 | 29501 | 29502 | 29503 | 29504 | 29505 | 29506 | 29507 | 29508 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1180081STU8NC90ZIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1180082STU8NC90ZIl'cOhm 7.Ã MAX220/I-max220 Du N-canal 900V 1,1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
1180083STU8NM50NN-canal 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans IPAKST Microelectronics
1180084STU90N4F3N-canal 40V - 5,4 Ohm - 80A - DPAK - TO-220 - IPAKST Microelectronics
1180085STU9N60M2N-canal 600 V, 0,72 Ohm typ., 5,5 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet IPAKST Microelectronics
1180086STU9N65M2N-canal 650 V, 0,79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans le paquet IPAKST Microelectronics
1180087STU9NA60VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1180088STU9NA60VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1180089STU9NA60N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1180090STU9NB80VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1180091STU9NB80N-canal 800V - 0,85 Ohms - 9.Á - Transistor MOSFET De To-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1180092STU9NC80N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-A protégé leTransistor MOSFET De PowerMESH¢âIIIST Microelectronics
1180093STU9NC80N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-A protégé leTransistor MOSFET De PowerMESH¢âIIIST Microelectronics
1180094STU9NC80ZVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1180095STU9NC80ZIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1180096STU9NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-A protégé leTransistor MOSFET De PowerMESH¢âIIIST Microelectronics
1180097STU9NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-A protégé leTransistor MOSFET De PowerMESH¢âIIIST Microelectronics
1180098STUB010FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors



1180099STUB011FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180100STUB012FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180101STUB013FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180102STUB015FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180103STUB016FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180104STUB018FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180105STUB020FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180106STUB022FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180107STUB024FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180108STUB027FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180109STUB030FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180110STUB033FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180111STUB036FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180112STUB039FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180113STUB043FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180114STUB047FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180115STUB051FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180116STUB056FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180117STUB062FILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180118STUB068Travailler tension inverse de crête: 58,1 V, 1 mA, 400 W surface de montage transitoire suppresseur de tensionEIC discrete Semiconductors
1180119STUB06IFILTRE PASSAGER DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1180120STUB075Travailler tension inverse de crête: 64,1 V, 1 mA, 400 W surface de montage transitoire suppresseur de tensionEIC discrete Semiconductors
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 29498 | 29499 | 29500 | 29501 | 29502 | 29503 | 29504 | 29505 | 29506 | 29507 | 29508 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com