| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1214681 | TIP117F | Transistor De Darlington | Korea Electronics (KEC) |
| 1214682 | TIP117TU | Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1214683 | TIP120 | Transistor Épitaxial de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 1214684 | TIP120 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 1214685 | TIP120 | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 1214686 | TIP120 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 1214687 | TIP120 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 1214688 | TIP120 | PUISSANCE TRANSISTORS(5.0a, 60-100v, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
| 1214689 | TIP120 | Puissance Darlingtons pour des applications linéaires et de commutation | Boca Semiconductor Corporation |
| 1214690 | TIP120 | DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 5 AMPÈRES | Motorola |
| 1214691 | TIP120 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 1214692 | TIP120 | . . . conçu pour l'amplificateur d'usage universel et les applications à vitesse réduite de commutation. | ON Semiconductor |
| 1214693 | TIP120 | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 1214694 | TIP120 | NPN (APPLICATIONS LINÉAIRES DE COMMUTATION DE PUISSANCE MOYENNE) | Samsung Electronic |
| 1214695 | TIP120 | 65.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 5.000A Ic, 1000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1214696 | TIP120 | 8A NPN Darlington transistor de puissance. 60V 65W. | General Electric Solid State |
| 1214697 | TIP120 | Darlington silicium transistor de puissance NPN 60V, 5A | Panasonic |
| 1214698 | TIP120 | 60 V, 5 A, 65 W, le transistor de puissance de silicium NPN connecté en darlington | Texas Instruments |
| 1214699 | TIP120-D | Transistors Complémentaires De Silicium De Milieu-Puissance En plastique | ON Semiconductor |
| 1214700 | TIP120A | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 1214701 | TIP120TU | Transistor Épitaxial de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 1214702 | TIP121 | Transistor Épitaxial de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 1214703 | TIP121 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 1214704 | TIP121 | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 1214705 | TIP121 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 1214706 | TIP121 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 1214707 | TIP121 | PUISSANCE TRANSISTORS(5.0a, 60-100v, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
| 1214708 | TIP121 | Puissance Darlingtons pour des applications linéaires et de commutation | Boca Semiconductor Corporation |
| 1214709 | TIP121 | DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 5 AMPÈRES | Motorola |
| 1214710 | TIP121 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 1214711 | TIP121 | . . . conçu pour l'amplificateur d'usage universel et les applications à vitesse réduite de commutation. | ON Semiconductor |
| 1214712 | TIP121 | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 1214713 | TIP121 | 65.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 5.000A Ic, 1000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1214714 | TIP121 | 8A NPN Darlington transistor de puissance. 80V, 65W. | General Electric Solid State |
| 1214715 | TIP121 | Darlington silicium transistor de puissance NPN, 80V, 5A | Panasonic |
| 1214716 | TIP121 | 80 V, 5 A, silicium épitaxiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
| 1214717 | TIP121 | 80 V, 5 A, 65 W, le transistor de puissance de silicium NPN connecté en darlington | Texas Instruments |
| 1214718 | TIP121 | NPN Darlington silicium transistor de puissance. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification à faible vitesse à usage général. VCEO = 80Vdc, 80Vdc Vcb = VEB = 5Vdc Ic = 5Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
| 1214719 | TIP121TU | Transistor Épitaxial de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 1214720 | TIP122 | Transistor Épitaxial de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
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