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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1214721TIP122TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMST Microelectronics
1214722TIP122Transistor De DarlingtonKorea Electronics (KEC)
1214723TIP122PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
1214724TIP122TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214725TIP122TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214726TIP122PUISSANCE TRANSISTORS(5.0a, 60-100v, 65w)MOSPEC Semiconductor
1214727TIP122Puissance Darlingtons pour des applications linéaires et de commutationBoca Semiconductor Corporation
1214728TIP122DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 5 AMPÈRESMotorola
1214729TIP122Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
1214730TIP122Puissance Å 100V NPNON Semiconductor
1214731TIP12265.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 1000 hFE.Continental Device India Limited
1214732TIP1228A NPN Darlington transistor de puissance. 100V, 65W.General Electric Solid State
1214733TIP122Darlington silicium transistor de puissance NPN 100V, 5APanasonic
1214734TIP122100 V, 5 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
1214735TIP122100 V, 5 A, 65 W, le transistor de puissance de silicium NPN connecté en darlingtonTexas Instruments
1214736TIP122NPN Darlington silicium transistor de puissance. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification à faible vitesse à usage général. VCEO = 100 V CC, 100 V CC = Vcb, Veb = 5Vdc, Ic = 5Adc, PD = 65W.USHA India LTD
1214737TIP122F65.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 1000 hFE.Continental Device India Limited
1214738TIP122FPTRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMST Microelectronics



1214739TIP122FPTRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214740TIP122FPTRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214741TIP122TUTransistor Épitaxial de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
1214742TIP123PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
1214743TIP123Transistor de silicium complémentaire de moyenne puissance plastiqueMotorola
1214744TIP124Transistor de silicium complémentaire de moyenne puissance plastiqueMotorola
1214745TIP125Transistor Épitaxial de PNP DarlingtonFairchild Semiconductor
1214746TIP125TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMST Microelectronics
1214747TIP125PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
1214748TIP125TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214749TIP125TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214750TIP125PUISSANCE TRANSISTORS(5.0a, 60-100v, 65w)MOSPEC Semiconductor
1214751TIP125Puissance Darlingtons pour des applications linéaires et de commutationBoca Semiconductor Corporation
1214752TIP125DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 5 AMPÈRESMotorola
1214753TIP125Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
1214754TIP125. . . conçu pour l'amplificateur d'usage universel et les applications à vitesse réduite de commutation.ON Semiconductor
1214755TIP125PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
1214756TIP12565.000W Darlington PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 5.000A Ic, 1000 hFE.Continental Device India Limited
1214757TIP1258A Darlington PNP du transistor de puissance. -60V, 65W.General Electric Solid State
1214758TIP125Darlington transistor de puissance PNP de silicium, 60V, 5APanasonic
1214759TIP125-60 V, -5 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
1214760TIP125-60 V, -5 A, 65 W, le transistor de puissance au silicium PNP connecté en darlingtonTexas Instruments
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