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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
250081BC33740BUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250082BC33740TATransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250083BC337A0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 0.800A Ic, 100-400 hFEContinental Device India Limited
250084BC337ATransistor NPN à usage généralPhilips
250085BC337ABUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250086BC337BUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250087BC337RL1Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250088BC337TFTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250089BC337TFRTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250090BC337ZL1Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250091BC338Applications de commutation et d'amplificateurFairchild Semiconductor
250092BC338Transistor Tout usageKorea Electronics (KEC)
250093BC338Petits Transistors De Signal (NPN)Vishay
250094BC338Petits Transistors De Signal (NPN)General Semiconductor
250095BC338Transistor d'Af De Silicium de NPNInfineon
250096BC338Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de TranzystorUltra CEMI
250097BC338Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPNHoney Technology
250098BC338TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS D'CAf DE SILICIUM DE NPNMicro Electronics
250099BC338Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens



250100BC338Transistor D'AmplificateurMotorola
250101BC338PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
250102BC338Transistor planaire épitaxial de silicium de NPN pour des applications de commutation et d'amplificateurSemtech
250103BC3380.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.800A Ic, 100-600 hFEContinental Device India Limited
250104BC338Transistor. Commutation et applications ampplifier. Convient pour stagees AF-pilote et étages de puissance. Vces = 30V, 25V = VCEO, Vebo = 5V, Pc = 625mW, Ic = 800mA.USHA India LTD
250105BC338-16Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens
250106BC338-16Transistor D'AmplificateurMotorola
250107BC338-16Transistors, & de Rf; AfVishay
250108BC338-16PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
250109BC338-16Silicium De Transistors(NPN D'Amplificateur)ON Semiconductor
250110BC338-16Petits signaux Transistor (NPN)General Semiconductor
250111BC338-25Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens
250112BC338-25Transistor D'AmplificateurMotorola
250113BC338-25Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250114BC338-25Transistors, & de Rf; AfVishay
250115BC338-25PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
250116BC338-250.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.800A Ic, 160-400 hFEContinental Device India Limited
250117BC338-25Petits signaux Transistor (NPN)General Semiconductor
250118BC338-25ZL1Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250119BC338-40Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens
250120BC338-40Transistor D'AmplificateurMotorola
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