|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 6247 | 6248 | 6249 | 6250 | 6251 | 6252 | 6253 | 6254 | 6255 | 6256 | 6257 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
250041BC337-25PETITS TRANSISTORS DU SIGNAL NPNST Microelectronics
250042BC337-25PETITS TRANSISTORS DU SIGNAL NPNSGS Thomson Microelectronics
250043BC337-25Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens
250044BC337-25Transistor D'AmplificateurMotorola
250045BC337-25Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250046BC337-25Transistors, & de Rf; AfVishay
250047BC337-25PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
250048BC337-250.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.800A Ic, 160-400 hFEContinental Device India Limited
250049BC337-25Petits signaux Transistor (NPN)General Semiconductor
250050BC337-25-APPETITS TRANSISTORS DU SIGNAL NPNST Microelectronics
250051BC337-25-APTRANSISTORS petit signal NPNSGS Thomson Microelectronics
250052BC337-25RL1Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250053BC337-25ZL1Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250054BC337-40Transistor d'usage universel de NPNPhilips
250055BC337-40PETITS TRANSISTORS DU SIGNAL NPNST Microelectronics
250056BC337-40PETITS TRANSISTORS DU SIGNAL NPNSGS Thomson Microelectronics
250057BC337-40Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens
250058BC337-40Transistor D'AmplificateurMotorola
250059BC337-40Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor



250060BC337-40Transistors, & de Rf; AfVishay
250061BC337-40PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
250062BC337-400.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.800A Ic, 250-600 hFEContinental Device India Limited
250063BC337-40Petits signaux Transistor (NPN)General Semiconductor
250064BC337-40-APPETITS TRANSISTORS DU SIGNAL NPNST Microelectronics
250065BC337-40-APTRANSISTORS petit signal NPNSGS Thomson Microelectronics
250066BC337-40RL1Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250067BC337-40ZL1Plastique NPN De Silicium De TransistorON Semiconductor
250068BC337-DSilicium Des Transistors NPN D'AmplificateurON Semiconductor
250069BC33716Transistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250070BC33716BUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250071BC33716TATransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250072BC33716TARTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250073BC33716TFTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250074BC33716TFRTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250075BC33725Transistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250076BC33725BUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250077BC33725TATransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250078BC33725TARTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250079BC33725TFTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
250080BC33725TFRTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 6247 | 6248 | 6249 | 6250 | 6251 | 6252 | 6253 | 6254 | 6255 | 6256 | 6257 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Russian version



© 2020 - www.DatasheetCatalog.com