| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 258921 | BF173 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 258922 | BF173 | 0.200W usage général NPN métal peut transistor. 25V VCEO, 0.030A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258923 | BF178 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 258924 | BF180 | Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 258925 | BF180 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258926 | BF181 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258927 | BF181 | Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 258928 | BF182 | Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 258929 | BF182 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258930 | BF182 | 0.150W usage général NPN métal peut transistor. 20V VCEO, 0.020A Ic, 10 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258931 | BF183 | Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 258932 | BF183 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258933 | BF194 | Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 258934 | BF194 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258935 | BF195 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258936 | BF195 | Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 258937 | BF196 | Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 258938 | BF196 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258939 | BF197 | Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 258940 | BF197 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258941 | BF198 | Transistor Du Silicium Rf de NPN | Siemens |
| 258942 | BF199 | Transistor moyen de fréquence de NPN | Philips |
| 258943 | BF199 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 258944 | BF199 | Transistor de Rf | Motorola |
| 258945 | BF199 | Transistor De Fréquence Par radio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 258946 | BF199 | 0.350W RF transistor NPN. 25V VCEO, 0.100A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258947 | BF200 | Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de wielkiej | Ultra CEMI |
| 258948 | BF200 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 258949 | BF200 | 0.150W usage général NPN métal peut transistor. 20V VCEO, 0.020A Ic, 15-40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258950 | BF2000 | Tétrode de Transistor MOSFET De la Manche Du Silicium N | Siemens |
| 258951 | BF2000W | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (le transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c pour l'entrée à faible bruit et gagner-commandée met en scène jusqu'à 1 gigahertz) | Siemens |
| 258952 | BF2030 | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258953 | BF2030 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 258954 | BF2030R | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258955 | BF2030W | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258956 | BF2030W | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 258957 | BF2040 | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258958 | BF2040 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'à la tension 5V de fonctionnement de 1GHz) | Siemens |
| 258959 | BF2040R | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258960 | BF2040W | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
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