| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 259081 | BF392 | 1.000W usage général NPN Transistor plastique plomb. 250V VCEO, 1.000A Ic, 25-0 hFE | Continental Device India Limited |
| 259082 | BF393 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 259083 | BF393 | Transistor(NPN) À haute tension | Motorola |
| 259084 | BF393 | Transistors(NPN) À haute tension | Motorola |
| 259085 | BF393 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 259086 | BF393 | 0.625W haute tension NPN Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259087 | BF393-D | Silicium À haute tension Du Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 259088 | BF393ZL1 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 259089 | BF397 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
| 259090 | BF398 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
| 259091 | BF39931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259092 | BF39931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259093 | BF39933 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259094 | BF39933 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259095 | BF40931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259096 | BF40931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259097 | BF410 | TRANSISTOR À faible bruit D'Effet de champ de JONCTION De N-canal POUR DES APPLICATIONS de Rf | Siemens |
| 259098 | BF410A | TRANSISTOR À faible bruit D'Effet de champ de JONCTION De N-canal POUR DES APPLICATIONS de Rf | Siemens |
| 259099 | BF410A | transistors d'effet de champ de silicium de N-canal | Philips |
| 259100 | BF410B | TRANSISTOR À faible bruit D'Effet de champ de JONCTION De N-canal POUR DES APPLICATIONS de Rf | Siemens |
| 259101 | BF410B | transistors d'effet de champ de silicium de N-canal | Philips |
| 259102 | BF410C | TRANSISTOR À faible bruit D'Effet de champ de JONCTION De N-canal POUR DES APPLICATIONS de Rf | Siemens |
| 259103 | BF410C | transistors d'effet de champ de silicium de N-canal | Philips |
| 259104 | BF410D | TRANSISTOR À faible bruit D'Effet de champ de JONCTION De N-canal POUR DES APPLICATIONS de Rf | Siemens |
| 259105 | BF410D | transistors d'effet de champ de silicium de N-canal | Philips |
| 259106 | BF414 | Transistor Du Silicium Rf de NPN | Infineon |
| 259107 | BF414 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259108 | BF414 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des étapes de VHF de base à faible bruit et commune et de FM) | Siemens |
| 259109 | BF419 | Transistor à haute tension de NPN | Philips |
| 259110 | BF41931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259111 | BF41931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259112 | BF420 | Transistors à haute tension de NPN | Philips |
| 259113 | BF420 | PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL NPN | ST Microelectronics |
| 259114 | BF420 | Transistor À haute tension | Korea Electronics (KEC) |
| 259115 | BF420 | Petits Transistors De Signal (NPN) | General Semiconductor |
| 259116 | BF420 | Transistor de silicium de NPN avec haut Reve... | Infineon |
| 259117 | BF420 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 259118 | BF420 | PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 259119 | BF420 | Transistors De Silicium de NPN Avec La Tension Inverse Élevée (Transistors De Silicium de NPN Avec La Tension Inverse Élevée) | Siemens |
| 259120 | BF420 | Transistors(NPN) À haute tension | Motorola |
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