| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567961 | IRF520NS | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567962 | IRF520NSTRL | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567963 | IRF520NSTRR | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567964 | IRF520PBF | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567965 | IRF520S | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567966 | IRF520STRL | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567967 | IRF520STRR | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567968 | IRF520V | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567969 | IRF520VL | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567970 | IRF520VPBF | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567971 | IRF520VS | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567972 | IRF521 | N - FETS VERTICAUX de PUISSANCE du MODE DMOS de PERFECTIONNEMENT de la MANCHE | Supertex Inc |
| 567973 | IRF521 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567974 | IRF5210 | -100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567975 | IRF5210L | -100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567976 | IRF5210S | -100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567977 | IRF5210STRL | -100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567978 | IRF5210STRR | -100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567979 | IRF522 | N - FETS VERTICAUX de PUISSANCE du MODE DMOS de PERFECTIONNEMENT de la MANCHE | Supertex Inc |
| 567980 | IRF522 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567981 | IRF523 | N - FETS VERTICAUX de PUISSANCE du MODE DMOS de PERFECTIONNEMENT de la MANCHE | Supertex Inc |
| 567982 | IRF523 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567983 | IRF530 | 1Â, 100V, 0,160 Ohms, Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567984 | IRF530 | N-canal 100V - 0,115 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE Du 1Â To-220 | ST Microelectronics |
| 567985 | IRF530 | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567986 | IRF530 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 567987 | IRF530 | TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
| 567988 | IRF530 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOS | Motorola |
| 567989 | IRF530 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567990 | IRF530 | PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal | TRSYS |
| 567991 | IRF530 | N-Channel Enhancement Mode Silicon porte | ON Semiconductor |
| 567992 | IRF530 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
| 567993 | IRF530 | 100 V, le transistor à effet de champ de puissance | TRANSYS Electronics Limited |
| 567994 | IRF530-D | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor à effet de champ De Puissance D'E-FET de TMOS | ON Semiconductor |
| 567995 | IRF5305 | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567996 | IRF5305L | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567997 | IRF5305PBF | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567998 | IRF5305S | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567999 | IRF5305STRL | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568000 | IRF5305STRR | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
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