| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 568001 | IRF530A | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Fairchild Semiconductor |
| 568002 | IRF530F1 | MOSFET canal N, 100v, 9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568003 | IRF530FI | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 568004 | IRF530FI | TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
| 568005 | IRF530FI | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | ST Microelectronics |
| 568006 | IRF530FP | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 568007 | IRF530FP | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | ST Microelectronics |
| 568008 | IRF530L | Puissance MOSFET(Vdss=100V/Rds(on)=0.11ohm/Id=17A) | International Rectifier |
| 568009 | IRF530N | transistor de TrenchMOS(tm) de N-canal | Philips |
| 568010 | IRF530N | 2À, 100V, 0,064 Ohms, N-Canal, Transistor MOSFET De Puissance | Fairchild Semiconductor |
| 568011 | IRF530N | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568012 | IRF530N | Transistor MOSFET De Puissance De 2À/100V/0,064 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 568013 | IRF530NL | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568014 | IRF530NLPBF | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568015 | IRF530NPBF | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568016 | IRF530NS | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568017 | IRF530NSPBF | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568018 | IRF530NSTRL | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568019 | IRF530NSTRR | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568020 | IRF530PBF | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568021 | IRF530S | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568022 | IRF530STRL | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568023 | IRF530STRR | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568024 | IRF531 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOS | Motorola |
| 568025 | IRF531 | FETS Verticaux De Puissance Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal | Supertex Inc |
| 568026 | IRF531 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 568027 | IRF531 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 568028 | IRF531 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
| 568029 | IRF531 | MOSFET canal N, 80V, 14A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568030 | IRF531F1 | MOSFET canal N, 80V, 9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568031 | IRF531FI | TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE De N | ST Microelectronics |
| 568032 | IRF531FI | TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE De N | ST Microelectronics |
| 568033 | IRF532 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOS | Motorola |
| 568034 | IRF532 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 568035 | IRF532 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 568036 | IRF532 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 568037 | IRF532 | MOSFET canal N, 100v, 12A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568038 | IRF532F1 | MOSFET canal N, 100v, 8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568039 | IRF532FI | TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE De N | ST Microelectronics |
| 568040 | IRF532FI | TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE De N | ST Microelectronics |
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