| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 568281 | IRF640FP | N - la MANCHE 200V - 0.150Ohm - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 1Å To-220/to-220fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568282 | IRF640FP | N-canal 200V - 0,150 OHMS - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 1Å To-220/to-220fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568283 | IRF640L | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568284 | IRF640LPBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568285 | IRF640N | Transistors MOSFET 200V, 1Å, 0,1Öhm De Puissance De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568286 | IRF640N | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568287 | IRF640NL | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568288 | IRF640NLPBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568289 | IRF640NPBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568290 | IRF640NS | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568291 | IRF640NSPBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568292 | IRF640NSTR | MOSFET canal N de puissance pour des applications de commutation rapides, 200V, 18A | International Rectifier |
| 568293 | IRF640NSTRL | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568294 | IRF640NSTRR | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568295 | IRF640PBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568296 | IRF640S | N-canal 200V - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 0,150 OHMS -1Å To-263 | ST Microelectronics |
| 568297 | IRF640S | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568298 | IRF640S | N - la MANCHE 200V - 0.150Ohm - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 1Å To-263 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568299 | IRF640S | transistor de TrenchMOS de N-canal | Philips |
| 568300 | IRF640SPBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568301 | IRF640STR | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568302 | IRF640STRL | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568303 | IRF640STRR | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568304 | IRF641 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Å/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 568305 | IRF641 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 18A. | General Electric Solid State |
| 568306 | IRF642 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Å/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 568307 | IRF642 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 16A. | General Electric Solid State |
| 568308 | IRF643 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Å/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 568309 | IRF644 | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568310 | IRF644 | Transistor MOSFET Du N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568311 | IRF644B | Transistor MOSFET Du N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568312 | IRF644B_FP001 | B-FET du N-Canal 250V/produit de remplacement du & IRF644; IRF64Â | Fairchild Semiconductor |
| 568313 | IRF644N | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568314 | IRF644NL | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568315 | IRF644NPBF | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568316 | IRF644NS | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568317 | IRF644PBF | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568318 | IRF644S | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568319 | IRF644SPBF | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568320 | IRF644STRL | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
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