| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 568201 | IRF623 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 568202 | IRF624 | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568203 | IRF624 | Transistor MOSFET Du N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568204 | IRF624B | Transistor MOSFET Du N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568205 | IRF624B_FP001 | B-FET du N-Canal 250V/produit de remplacement du & IRF624; IRF62Â | Fairchild Semiconductor |
| 568206 | IRF624S | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568207 | IRF624STRL | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568208 | IRF624STRR | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568209 | IRF630 | transistor de TrenchMOS(tm) de N-canal | Philips |
| 568210 | IRF630 | 9A, 200V, 0,400 Ohms, Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568211 | IRF630 | N-canal 200V - 0,35 OHMS - 9A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De To-220/to220-fp | ST Microelectronics |
| 568212 | IRF630 | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568213 | IRF630 | N - la MANCHE 200V - 0.35W - 9A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De To-220/fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568214 | IRF630 | N-canal 200V - 0,35 OHMS - 9A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De To-220/to220-fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568215 | IRF630 | Transistors MOSFET De Puissance De 9A/200V/0,400 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 568216 | IRF630 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 9,0 A. | General Electric Solid State |
| 568217 | IRF630A | Transistor MOSFET Avançé De Puissance | Fairchild Semiconductor |
| 568218 | IRF630B | Transistor MOSFET Du N-Canal 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568219 | IRF630BTSTU_FP001 | B-FET du N-Canal 200V/produit de remplacement du & IRF630; IRF630A | Fairchild Semiconductor |
| 568220 | IRF630B_FP001 | B-FET du N-Canal 200V/produit de remplacement du & IRF630; IRF630A | Fairchild Semiconductor |
| 568221 | IRF630FP | N-canal 200V - 0,35 OHMS - 9A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De To-220/to220-fp | ST Microelectronics |
| 568222 | IRF630FP | N - la MANCHE 200V - 0.35W - 9A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De To-220/fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568223 | IRF630FP | N-canal 200V - 0,35 OHMS - 9A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De To-220/to220-fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568224 | IRF630M | Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm 9A To-220/to-220fp Du N-canal 200V 0,35 | ST Microelectronics |
| 568225 | IRF630M | Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm 9A To-220/to-220fp Du N-canal 200V 0,35 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568226 | IRF630MFP | Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm 9A To-220/to-220fp Du N-canal 200V 0,35 | ST Microelectronics |
| 568227 | IRF630MFP | Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm 9A To-220/to-220fp Du N-canal 200V 0,35 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568228 | IRF630N | Transistors MOSFET 200V, 9.Á, 0,30Ohm De Puissance De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568229 | IRF630N | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568230 | IRF630NL | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568231 | IRF630NLPBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568232 | IRF630NPBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568233 | IRF630NS | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568234 | IRF630NSPBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568235 | IRF630NSTRL | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568236 | IRF630NSTRR | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568237 | IRF630S | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568238 | IRF630S | N - la MANCHE 200V - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 0,35 Ohms -9a-d 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 568239 | IRF630S | transistor de TrenchMOS de N-canal | Philips |
| 568240 | IRF630S | N - La MANCHE 200V - 0.3öhm - 9A - Transistor MOSFET De RECOUVREMENT De MAILLE De D2PAK ] | ST Microelectronics |
| | | |
