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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
610401KM416C1204BJ-L455V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
610402KM416C1204BJ-L55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610403KM416C1204BJ-L65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610404KM416C1204BJ-L75V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610405KM416C1204BT-455V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
610406KM416C1204BT-55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610407KM416C1204BT-65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610408KM416C1204BT-75V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610409KM416C1204BT-L455V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
610410KM416C1204BT-L55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610411KM416C1204BT-L65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610412KM416C1204BT-L75V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610413KM416C1204CRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
610414KM416C1204CJ-451m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
610415KM416C1204CJ-55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610416KM416C1204CJ-501m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
610417KM416C1204CJ-65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610418KM416C1204CJ-601m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
610419KM416C1204CJ-L455V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45nsSamsung Electronic



610420KM416C1204CJ-L55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610421KM416C1204CJ-L65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610422KM416C1204CJL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610423KM416C1204CJL-501m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610424KM416C1204CJL-601m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610425KM416C1204CT-455V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
610426KM416C1204CT-55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610427KM416C1204CT-501m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
610428KM416C1204CT-65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610429KM416C1204CT-601m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
610430KM416C1204CT-L455V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
610431KM416C1204CT-L55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610432KM416C1204CT-L65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610433KM416C1204CTL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610434KM416C1204CTL-501m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610435KM416C1204CTL-601m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610436KM416C254DRAM dynamique de 256K x de 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
610437KM416C254DJ-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 5.0V, 50ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
610438KM416C254DJ-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 5.0V, 60ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
610439KM416C254DJ-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 5.0V, 70ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
610440KM416C254DJL-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 5.0V, 50ns, auto-refreshSamsung Electronic
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