Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
610401 | KM416C1204BJ-L45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
610402 | KM416C1204BJ-L5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610403 | KM416C1204BJ-L6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610404 | KM416C1204BJ-L7 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610405 | KM416C1204BT-45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
610406 | KM416C1204BT-5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610407 | KM416C1204BT-6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610408 | KM416C1204BT-7 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610409 | KM416C1204BT-L45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
610410 | KM416C1204BT-L5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610411 | KM416C1204BT-L6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610412 | KM416C1204BT-L7 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610413 | KM416C1204C | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
610414 | KM416C1204CJ-45 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 16 ms | Samsung Electronic |
610415 | KM416C1204CJ-5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610416 | KM416C1204CJ-50 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 16 ms | Samsung Electronic |
610417 | KM416C1204CJ-6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610418 | KM416C1204CJ-60 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 16 ms | Samsung Electronic |
610419 | KM416C1204CJ-L45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
610420 | KM416C1204CJ-L5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610421 | KM416C1204CJ-L6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610422 | KM416C1204CJL-45 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610423 | KM416C1204CJL-50 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610424 | KM416C1204CJL-60 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610425 | KM416C1204CT-45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
610426 | KM416C1204CT-5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610427 | KM416C1204CT-50 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 16 ms | Samsung Electronic |
610428 | KM416C1204CT-6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610429 | KM416C1204CT-60 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 16 ms | Samsung Electronic |
610430 | KM416C1204CT-L45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
610431 | KM416C1204CT-L5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610432 | KM416C1204CT-L6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610433 | KM416C1204CTL-45 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610434 | KM416C1204CTL-50 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610435 | KM416C1204CTL-60 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610436 | KM416C254D | RAM dynamique de 256K x de 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
610437 | KM416C254DJ-5 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 5.0V, 50ns, période de rafraîchissement de 8ms | Samsung Electronic |
610438 | KM416C254DJ-6 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 5.0V, 60ns, période de rafraîchissement de 8ms | Samsung Electronic |
610439 | KM416C254DJ-7 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 5.0V, 70ns, période de rafraîchissement de 8ms | Samsung Electronic |
610440 | KM416C254DJL-5 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 5.0V, 50ns, auto-refresh | Samsung Electronic |
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